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第6章CMOS版图设计基础
p65;本章概要;6.1版图设计入门版图设计的定义;满足电路功能、性能指标、质量要求;版图编辑
规定各个工艺层上图形的形状、尺寸、位置（LayoutEditor）;EDA工具允许画各种形状的图形，但大多数版图设计成为直角三角形的组合，称之为“曼哈顿几何形状”。;nWell;;6.1版图设计入门0.25umCMOS掩模版次;6.1版图设计入门2个nFET串联;三个串联的nFET（有2个n+区被共享）;两个并联的nFET;;;;两个独立非门相邻;两个非门串联;6.1版图设计入门传输门;6.1版图设计入门NAND2;6.1版图设计入门NOR2;6.1版图设计入门NOR3/NAND3;6.2设计规则什么是设计规则;6.2设计规则设计规则的分类;多晶线最小宽度;6.2设计规则最小宽度与最小间距(2);有源区接触窗口距离有源区周边的最小距离;多晶硅栅的最短露头长度;6.2设计规则通孔与接触孔;Metal2不能直接接有源区;刻蚀限制最小宽度;横向注入限制了有源区间距;两层掩模未对准→相邻工艺层短路或开路;6.2设计规则违背设计规则带来的问题(1);符合设计规则;符合设计规则;接触孔下不得有多晶或有源区边缘;6.2设计规则版图编辑器;6.2设计规则设计规则检查DRC;6.3基本工艺层版图n阱;相邻有源区边与边之间的最小间距;有源区至nSelect的最小距离;有源区至pSelect的最小距离;多晶线最小宽度;沟道长度=多晶最小宽度;沟道长度=多晶最小宽度;6.3基本工艺层版图实际尺寸与设计尺寸的差别;版图尺寸（设计值）≠芯片的最终尺寸（有效值）
FET沟道长度
设计值L=多晶硅的线宽wp
有效值Leff=L-△Lwp
FET沟道宽度
设计值W=有源区宽度wa
有效值Weff=W-△Wwa
分析FET特性时
应用Leff、Weff、Weff/Leff
不要用L、W、W/L
;有源区接触与有源区边缘之间的最小间距;Metal1线的最小宽度;有源区对金属的覆盖余量;有源区至多晶的最小间距;Metal1与Metal1的最小间距;多晶与多晶之间的最小间距;并联的nFET;通孔（Via)－形成相邻两层金属之间的互连;每当有源区被nSelect包围时就形成n+
每当有源区被pSelect包围时就形成p+
每当多晶穿越n+区时就形成nFET
每当多晶穿越p+区时就形成pFET
若无接触孔（有源区接触、多晶接触、通孔），n+、p+、多晶、各层金属即使互相交叉，也不会形成电连接;6.4基本工艺层版图示例(1);6.4基本工艺层版图示例(2);6.4基本工艺层版图示例(3);6.4基本工艺层版图示例(4);6.4基本工艺层版图示例(5);6.4基本工艺层版图示例(6);6.4基本工艺层版图示例(7);6.4基本工艺层版图示例(8);6.5FET版图尺寸的确定任务;6.5FET版图尺寸的确定尺寸确定原则;6.5FET版图尺寸的确定nFET和pFET之不同;6.5FET版图尺寸的确定单元晶体管:定义;6.5FET版图尺寸的确定单元晶体管:放大;6.5FET版图尺寸的确定单元晶体管:串联链;用平行连接的管子构成高宽长比的FET;6.5FET版图尺寸的确定叉指型晶体管;6.6版图设计方法基本规则;;;;;垂直放置;水平放置：W
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