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effect of mg zn si and the lattice constant gallium nitride thin films镁锌硅氧对氮化镓薄膜晶格常数影响.pdf

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EFFECTOFMG,ZN,SI,ANDOONTHELATTICECONSTANTOFGALLIUM

NITRIDETHINFI

*,@*****

G.S.Sudhir,Y.Peyrot,J.Krüger,Y.Kim,R.Klockenbrink,C.Kisielowski,M.D.

*****

Rubin,andE.R.Weber,

MSMEDepartment,U.C.Berkeley,Berkeley,CA94720,gss@socrates.berkeley.edu

MaterialsScienceDivision,LawrenceBerkeleyNationalLaboratory,Berkeley,CA94720

W.KriegseisandB.K.Meyer

Justus-Liebig-UniversittGiessen,Heinrich-Buff-Ring16,D-35392Giessen,Germany

Thisstudyyzestheimpactofmostcommonimpuritiesanddopantsontheclattice

parameterforthinfiofGalliumNitride(GaN)depositedonbasalnesapphire.BothMg

(~1017cm-3)andZn(~3x1020cm-3)dowerefoundtoexpandtheclatticeparamesmuch

as+0.38%and+0.62%,respectively.Onthecontrary,Oxygenuptoconcentrations91021cm-3is

showntoreceNinGaNthinfireducingthecparameteronlybyasmallamount.

orporationofSileadstoalargedecreaseofthecparameterwhichcannotbeattributedtothe

differentsizeofGaandSiatom.Itissuggestedthatdoaltersthefitoichiometrybya

predictedFerveldependenceofdefectformationenergies.Theimpactofstoichiometryonc

latticeparamendtheeffectofhydrostaticstrainonresistivityinundopedanddopedGaNis

discussed.

INTRODUCTION

Galliumnitride(GaN)andrelatedIII-nitridecompoundshavegeneratedwidespread

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