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四、晶体三极管的特性曲线１、输入特性输入回路输出回路与二极管特性相似时第64页,共76页，2024年2月25日，星期天O特性基本重合(电流分配关系确定)特性右移(因集电结开始吸引电子)导通电压UBE(on)硅管：(0.6?0.8)V锗管：(0.2?0.3)V取0.7V取0.2V第65页,共76页，2024年2月25日，星期天２、输出特性iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321１）截止区：IB?0IC=ICEO?0条件：两个结反偏截止区ICEO特点：分三个区第66页,共76页，2024年2月25日，星期天iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O246843212）放大区：放大区截止区条件：发射结正偏集电结反偏特点：水平、等间隔ICEO第67页,共76页，2024年2月25日，星期天iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O246843213）饱和区：uCE?uBEuCB=uCE?uBE?0条件：两个结正偏特点：IC??IB临界饱和时：uCE=uBE深度饱和时：0.3V(硅管)UCE(SAT)=0.1V(锗管)放大区截止区饱和区ICEOIc的大小取决于Ec和Rc，第68页,共76页，2024年2月25日，星期天五、温度对特性曲线的影响1.温度升高，输入特性曲线向左移。温度每升高1?C，UBE?(2?2.5)mV。温度每升高10?C，ICBO约增大1倍。OT2T1第69页,共76页，2024年2月25日，星期天2.温度升高，输出特性曲线向上移。iCuCET1iB=0T2iB=0iB=0温度每升高1?C，??(0.5?1)%。输出特性曲线间距增大。O第70页,共76页，2024年2月25日，星期天六、晶体三极管的主要参数１、电流放大系数1）共发射极电流放大系数iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321—直流电流放大系数?—交流电流放大系数一般为几十?几百Q第71页,共76页，2024年2月25日，星期天iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O246843212.共基极电流放大系数??1一般在0.98以上。Q二、极间反向饱和电流CB极间反向饱和电流ICBO，CE极间反向饱和电流ICEO。第72页,共76页，2024年2月25日，星期天３、极限参数1）ICM—集电极最大允许电流，超过时?值明显降低。2）PCM—集电极最大允许功率损耗PC=iC?uCE。iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作区第73页,共76页，2024年2月25日，星期天U(BR)CBO—发射极开路时C、B极间反向击穿电压。3）U(BR)CEO—基极开路时C、E极间反向击穿电压。U(BR)EBO—集电极极开路时E、B极间反向击穿电压。U(BR)CBOU(BR)CEOU(BR)EBO第74页,共76页，2024年2月25日，星期天七、晶体管电路的基本问题和分析方法三种工作状态状态电流关