逆变器设计制造方法专利技术集单相.pdfVIP

(19)国家知识局**CCNNAA**

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103475253A

(43)申请公布日2013.12.25

(21)申请号201310405214.2

(22)申请日2013.09.06

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南路

2号

(72)发明人需于海明

闫宏丽

(74)专利机构亿腾知识事务

所11309

人

(51)Int.Cl.

H02M7/5387(2007.01)

权利要求书1页5页附图2页

(54)发明名称

单相逆变器

(57)

本发明涉及一种单相逆变器，包括：第一场效

应管Q1的漏极与第一二极管D1的阴极相连接，源

极与D1的阳极连接；第二场效应管Q2的漏极与

第二二极管D2的阴极连接，源极与D2的阳极相连

接；第三场效应管Q3的漏极与第三二极管D3的

阴极相连接，源极与D3的阳极连接；第四场效应

管Q4的漏极与第四二极管D4的阴极连接，源极与

D4的阳极相连接；还包括电源。本发明的单相逆

变器利用SiC材料的耐高温特性使得逆变器可以

在高温下减少甚至不需要冷却，SiC器件的快速

开通和关断特性，逆变器可以高频工作，以及SiC

的宽的禁带，SiC的器件可以在高压下工作。

A

3

5

2

5

7

4

3

0

1

N

C

CN103475253A权利要求书1/1页

1.一种单相逆变器，其特征在于，包括：

第一场效应管Q1、第二场效应管Q2、第三场效应管Q3、第四场效应管Q4，以及第一二极

管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4；

所述第一场效应管Q1的漏极与所述第一二极管D1的阴极相连接，所述第一场效应管Q1

的源极与所述第一二极管D1的阳极连接；所述第二场效应管Q2的漏极与所述第二二极管D2

的阴极连接，所述第二场效应管Q2的源极与所述第二二极管D2的阳极相连接；所述第三场

效应管Q3的漏极与所述第三二极管D3的阴极相连接，所述第三场效应管Q3的源极与所述

第三二极管D3的阳极连接；所述第四场效应管Q4的漏极与所述第四二极管D4的阴极连接，

所述第四场效应管Q4的源极与所述第四二极管D4的阳极相连接；

所述单相逆变器还包括电源，所述第一场效应管Q1的漏极与第二场效应管Q2的漏极，

所述第一二极管D1的阴极与第二二极管D2阴极与所述电源的正极相连接；所述第三场效

应管Q3的源极与第四场效应管Q4的源极，所述第三二极管D3的阳极与第四二极管D4的

阳极与电源的负极相连接；

所述第一场效应管Q1的源极与所述第三场效应管Q3的漏极与外部负载的一端相连

接；所述第二场效应管Q2的源极与所述第四场效应管Q4的漏极与所述外部负载的另一端相

连接。

2.根据权利要求1所述的单相逆变器，其特征在于，所述第一场效应管Q1、第二场效应管

Q2、第三场效应管Q3、第四场效应管Q4为碳化硅SiC金属-氧化层--场效晶体管。

3.根据权利要求1所述的单相逆变器，其特征在于，所述第一二极管D1、第二二极管D2、

第三二极管D3