模拟集成电路设计 (20).pdf

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2.3

MOSFET的二级效应

前述推导都是在简化假设下得到,未考虑二级效应

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二级效应是模拟集成电路设计必须要考虑的因素

例如输出电阻,体效应引起的体跨导等

MOSFET的二级效应

包括体效应、沟道长度调制、亚阈值导电性、热载流子效应、速

度饱和效应、温度特性等

1、MOS管的阈值电压VTH及体效应

Qdep

V2

THMSF

C

OX

Φ:多晶硅栅与硅衬底功函数之差-

MSMSgatesilicon

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kTsub

ln

F

qni

C:单位面积栅氧化层电容

ox

Q4qN

depsiFsub

Q耗尽区的电荷,是衬源电压V的函数

depBS

1、MOS管的阈值电压VTH及体效应

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2qN

VV2V-2,sisub

THTH0FSBFC

OX

2=0.9V体效应系数γ,

F

V是源衬电势差

SB

=0.45V1/2V=0时,体效应项为0

SB

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