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2.3
MOSFET的二级效应
前述推导都是在简化假设下得到,未考虑二级效应
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二级效应是模拟集成电路设计必须要考虑的因素
例如输出电阻,体效应引起的体跨导等
MOSFET的二级效应
包括体效应、沟道长度调制、亚阈值导电性、热载流子效应、速
度饱和效应、温度特性等
1、MOS管的阈值电压VTH及体效应
Qdep
V2
THMSF
C
OX
Φ:多晶硅栅与硅衬底功函数之差-
MSMSgatesilicon
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kTsub
ln
F
qni
C:单位面积栅氧化层电容
ox
Q4qN
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Q耗尽区的电荷,是衬源电压V的函数
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1、MOS管的阈值电压VTH及体效应
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2qN
VV2V-2,sisub
THTH0FSBFC
OX
2=0.9V体效应系数γ,
F
V是源衬电势差
SB
=0.45V1/2V=0时,体效应项为0
SB
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