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第三节场效应管

二、绝缘栅场效晶体管N沟道

增强型P沟道

绝缘栅场效应

N沟道

管的分类耗尽型

P沟道

1、增强型绝缘栅场效应管

SGD

D漏极：D

N+N+栅极：G

G

PS源极：S

绝缘栅场效应管的结构

U

GS

GD

S

N+N+

P

N沟道增强型绝缘栅场效应管

导电沟道的形成

E

D开启电压UGS（th）

在一定的漏—源电压

EGGID

SDU下，使场效应管

DS

由不导通变为导通的

临界栅—源电压，称

为开启电压。

N+N+

P

N沟道增强型绝缘栅场效应管的导通

N沟道增强型场效应管的特性曲线

ID(mA)

4V

ID(mA)

UDS=常数3V

2V

UGS=1V

UGS(V

0)0

无有沟道UDS(V)

沟

道

转移特性曲线漏极特性