半导体集成电路封装术语 编制说明.docx

1、编制原则

《半导体集成电路封装术语》（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

1、任务来源

根据《国家标准化管理委员会关于下达2023年国家标准复审修订计划的通知》（国标委发【2023】64号），《半导体集成电路封装术语》国家标准修订项目（计划项目代号T-339），由全国集成电路标准化技术委员会（SAC/TC599）归口，主要承办单位为中国电子科技集团公司第十三研究所，副主办单位有中国电子技术标准化研究院、江苏长电科技股份有限公司和天水七四九电子有限公司等。项目周期为16个月。

2、制定背景

随着全球电子信息产业的快速发展，全球半导体集成电路行业一直呈现持续增长的势头，为满足半导体集成电路技术的快速发展和应用的要求，半导体集成电路封装技术也得到了快速发展，新的半导体集成电路封装形式和种类不断增加，涌现了很多半导体集成电路封装的新设计和新工艺。目前《半导体集成电路封装术语》的标龄已有31年，标准内容已不能满足目前使用需求。急需制定本标准，满足行业发展和交流的需要。

3、工作过程

1）起草阶段

2023年12月～2024年2月，收到国家标准制定任务，中国电子科技集团公司第十三研究所牵头成立了标准编制组，并明确分工、各阶段的时间节点以及各阶段的主要工作内容。编制组首先收集GB/T14113-1993《半导体集成电路封装术语》、GB/T7092-2021《半导体集成电路外形尺寸》、GB/T9178-1988《集成电路术语》及相关国军标的标准和资料，并对收集的标准资料进行研究、分析，按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》，完成了《半导体集成电路封装术语》征求意见稿。

二、国家标准编制原则、主要内容及其确定依据

该标准为半导体器件的封装标准，属于基础通用标准。为保证修改后的标准能够反映当前最新的技术和工艺，并考虑当前的技术水平、经济条件和社会环境，确保标准的可行性，本标准采用国标及国军标内已有的术语及定义，在原标准的基础上进行修订。同时该标准按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》的要求进行编写。

2、主要内容及其确定依据

除编辑性修改外，标准的结构与GB/T14113-1993《半导体集成电路封装术语》保持一致，内容在原标准的基础上，修改11项术语，删除2项术语，位置调整6项术语，增加30项术语。

本标准包含范围、规范性引用文件、通用术语、结构术语、技术和工艺术语等五章内容，具体说明如下：

1）范围：半导体集成电路封装在生产制造、工程应用和产品交验等方面使用的基本术语。本文件适用于与半导体集成电路封装相关的生产、科研、教学和贸易等方面的应用。

2）规范性引用文件：本文件直接引用的文件主要有GB/T7092、GB/T9178、GJB1420、GJB2440和GJB923。

3）通用术语：GB/T9178界定的术语和定义适用于本文件。主要修改如下：

①“上框”修改为“密封环”，“引线间距”修改为“引线节距”；

②对“跨度”术语重新定义；

③将原技术、工艺术语中“壳温”、“安装表面温度”、“结温”、“热阻”术语调整到通用术语中，其中“结温（junctiontemperature）”英文缩写“Tj”修改为“Tj”，热阻（thermalresistance）英文缩写“RθJR”更改为“RθJc”；

④增加“焊料”术语；

⑤在3.6条描述中增加陶瓷封装，同时图1中增加了陶瓷封装引线框架示意图。

4）结构术语：GB/T9178界定的术语和定义适用于本文件。主要修改如下：

①对“关键密封区”、“非关键密封区”术语重新定义；

②删除“指形焊点”、“平面度”术语；

③将图6中b）的描述更改为“直插式封装”；

④增加“关键连接区”、“印制线”、“关键芯片粘接区”、“关键键合区”、“热沉”、“绝缘子”、“电极”、“弯月区”8项术语。

5）技术和工艺术语：GB/T7092和GB/T9178界定的术语和定义适用于本文件。主要修改如下：

①将“凸起”的原英文翻译“projection”修改为“protrusion”；

②将原结构术语中“支座”、“共面性”术语调整到技术、工艺术语中，其中“支座”修改为“支撑高度”；

③增加“上翻”、“孔洞”、“金属化延伸”、“表面气泡”、“内部气泡”、“圆弧状裂纹”、“弯月区裂纹”、“径向裂纹”、“玻璃缺损”、“玻璃爬高”、“玻璃外溢”、“玻璃飞溅物”、“封装高度”、“封装体厚度”、“封装长度”、“封装直径”、“引出端宽度”、“引出端直径”、“引出端厚度”、“引出端长度”、“焊接长度”21