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中咨国联绝缘栅双极型晶体管（IGBT）项目可行性研究报告

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）项目

可行性研究报告

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中咨国联编制

DATE\@EEEE年O月二〇二一年三月

第

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项目介绍：

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；

IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）项目可行性研究报告仅供参考或编写过程中格式借鉴使用，不作为实际项目投资使用。本报告中所发表的观点和结论仅供报告持有者参考使用；报告编制人员对本报告披露的信息不作承诺性保证，也不对各级政府部门（客户或潜在投资者）因参考报告内容而产生的相关后果承担法律责任；因此，报告的持有者和审阅者应当完全拥有自主采纳权和取舍权，敬请本报告的所有读者给予谅解。

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）项目可行性研究报告目录

第一章总论

1.1项目概要

1.1.1项目名称

1.1.2项目建设单位

1.1.3项目建设性质

1.1.4项目建设地点

1.1.5项目负责人

1.1.6项目投资规模

1.1.7项目建设规模

1.1.8项目资金来源

1.1.9项目建设期限

1.2项目建设单位介绍

1.3编制依据

1.4编制原则

1.5研究范围

1.6主要经济技术指标

第二章项目市场分析

2.1建设地经济发展概况

2.2我国绝缘栅双极型晶体管（IGBT）行业发展状况分析

2.3我国绝缘栅双极型晶体管（IGBT）行业发展趋势分析

2.4市场小结

第三章项目建设的背景和必要性

3.1项目提出背景

3.2项目建设必要性分析

3.2.1有利于促进我国绝缘栅双极型晶体管（IGBT）工业快速发展的需要

3.2.2提升技术进步，满足绝缘栅双极型晶体管（IGBT）行业生产高品质产品的需要

3.2.4符合《中国制造2025》“三步走”实现制造强国战略目标

3.2.5提升我国绝缘栅双极型晶体管（IGBT）产品研发和技术创新水平的需要

3.2.6提升企业竞争力水平，有助于企业长远战略发展的需要

3.2.7增加当地就业带动产业链发展的需要

3.3项目建设可行性分析

3.3.1政策可行性

3.3.2技术可行性

3.3.3管理可行性

3.4分析结论

第四章项目建设条件

4.1项目厂区选址

4.2区域投资环境

4.2.1区域概况

4.2.2区域气候条件

4.2.3区域地形地貌

4.2.4区域交通区位条件

4.2.5区域经济发展

第五章总体建设方案

5.1总图布置原则

5.2土建方案

5.2.1总体规划方案

5.2.2土建工程方案

5.3主要建设内容

5.4工程管线布置方案

5.4.1给排水

5.4.2供电

5.5道路设计

5.6总图运输方案

5.7土地利用情况

5.7.1项目用地规划选址

5.7.2用地规模及用地类型

第六章产品方案及技术方案

6.1主要产品方案

6.2产品质量指标

6.3产品价格制定原则

6.4产品生产规模确定

6.5项目生产工艺简述

6.5.1产品工艺方案选择

6.5.2工艺技术流程及简述

第七章原料供应及设备选型

7.1主要原材料供应

7.2主要设备选型

7.2.1设备选型原则

7.2.2主要设备明细

第八章节约能源方案

8.1本项目遵循的合理用能标准及节能设计规范

8.2建设项目能源消耗种类和数量分析