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PEDCV保养作业指导书 ——翁自力一、简介 PECVD（Piasma Enhanced Chemical Vapor Desposition）即“等离子增强型化学气相沉积”。PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。整个系统主要包括以下主要部件：带有阀门和真空泵的真空腔室（装载腔、反应腔、冷却腔、卸载腔）、等离子源、传送系统、工艺气系统、加热系统、冷却和动力系统，整个系统由计算机集中控制。如下图所示：装载腔反应腔冷却腔装载腔A-Viton 真空密封装置B-微波密封圈上盖密封垫的位置1－室门1装载系统2－室门2装载腔－预热/反应腔3－室门3反应腔/冷却腔 卸载腔4－室门4卸物腔－转移阀门在腔室中的位置二、保养（1）保养目的：整个SiNA系统包含4个由4道阀门隔离起来的真空腔室。由于在等离子反应的原因，将会在腔室内部将会产生一层反应产物覆盖层，这将会增加抽真空的时间，并且影响到等离子反应，因此腔室需要进行周期性的清洁保养。（2）保养周期：144-168?h（6-7天）。（3）保养过程1、开启装载腔、冷却腔、卸载腔的上盖。具体操作步骤：通过选择操作屏上对应的上盖，点击“cover1”、“cover3”、“cover4”按钮，使按键变为淡绿色，在点击“open”按钮，后同时按下控制面板上的两个控制按钮（1＋2）即可打开腔盖。 2、清理装载腔、冷却腔、卸载腔。①用真空吸尘器吸走三个腔室内所有的杂质灰尘，并用无尘布或无尘纸蘸酒精擦拭冷却腔、卸载腔上盖表面。俯视装载腔（左面－底部；右面－安装有灯管加热的上盖）用蘸有酒精的无尘布擦拭冷却腔的俯视图（左-底部，右-上盖）用蘸有酒精的无尘布擦拭卸载腔的俯视图（左面-底部，右面-安装有附加铝板的上盖）②擦拭各个腔室阀门。用蘸有酒精的无尘布擦拭各个阀门上的Viton密封垫及其密封面。矩形的密封门以及密封面③清洁所有腔室的位置传感器。用带有一根软管的真空吸尘器对位置传感器前面的窗口进行清洁，按住软管直到软管压在最底部。④擦拭各个腔室上盖的密封垫和密封面。用蘸有酒精的无尘布擦拭各个腔室上盖的Viton密封垫及其密封面。必须除掉密封圈上各种灰尘颗粒。①装载腔②反应腔③冷却腔④装载腔A-Viton 真空密封装置B-微波密封圈红色线条为上盖密封垫的位置密封面注意！氮化硅是一种坚硬的覆盖层，该覆盖层不但破坏上盖密封垫的表面，而且对密封垫造成破坏。3、关闭装载腔、冷却腔、卸载腔的上盖。具体操作步骤：通过选择操作屏上对应的上盖，点击“cover1”、“cover3”、“cover4”按钮，使按键变为淡绿色，在点击“close”按钮，后同时按下控制面板上的两个控制按钮（1＋2）即可关闭腔盖。 注意！在盖上上盖之前，请检查O形密封圈及其密封面的洁净度4、关闭各腔室的阀门（Gate1、 Gate3 、Gate4）。具体操作步骤：通过选择操作屏页面1上对应的按钮，点击“manual transport”按钮，切换到页面2，点击“manual”按钮，按扭变为淡绿色（页面3 所示），各个阀门被激活，可选择要开启的阀门，点击“gate ”下的图标开启或关闭（在页面4操作）。 页面1页面2 页面3页面45、开启反应腔的上盖。具体操作步骤：通过选择操作屏上对应的上盖，点击“cover2”按钮，使按键变为淡绿色，在点击“open”按钮，后同时按下控制面板上的两个控制按钮（1＋2）即可打开腔盖。在打开上盖后，用一块防火毯罩在上盖U型槽上，提防覆有氮化硅的材料由于热应力而发生迸裂而突然崩出。 若在此模式下无法开启腔盖，选择另一模式进行操作：点击页面1的“service”按钮切换到页面2，依次点选“c pc”、“cover op”按钮，后点击“enable”按钮，最后同时按下控制面板上的两个控制按钮（1＋2）即可打开腔盖。页面1 页面2 谨慎小心注意冷却时间注意当打开反应腔的时候，提防覆有氮化硅的材料由于热应力而发生迸裂而突然崩出 因此，需要戴安全防护目镜6、拆除微波连接器一边的铜质天线。打开设备上覆盖住铜质天线两边的门，旋下铜质天线的接头后拔出铜质天线。左边：铜质天线的接头。右边：一体化铜质天线7、清理反应腔。①拆卸石英管。用半月形工具先嵌入卡口互锁插头的孔中在逆时针旋转将其拧松打开（附图）；从卡口支架上将其拔出【法兰】（附图）；向上轻提拿走旧的石英管；②拿开传动轮的上盖和腔室部分的侧面敷层挡板，用真空吸尘器除去表面的敷层和粉尘。传动轮的上盖 腔室侧面敷层挡板③用真空吸尘器吸走腔室加热板上和底部的各种杂质。（附图）④附尘槽的清理。在腔室表面铺上一张PVC布，避免附尘槽上的敷层掉落在腔室里。用锤子轻轻敲击附尘槽表面，使表面的敷层