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第 17 卷第2 期 总第66 期
V o l . 1 7 No . 2 M at erials Science & Eng ineering June 199 9
: 1004 -793x 1999) 02-0055-0 3
,
, 310027)
SEM ) X ,
, ,
; ;
: T N 305: A
Study on Surface Damage in Line-cutting Silicon
- , -
FAN Rui xin HU Huan ming
State Key La oratory of Silicon Material, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, China)
A stractIn this paper , t he sur f ace damag e and the damdg e thickness in line-cutt ing silico n and ID -
, -
cut ting silicon have been studied by mea ns o f the t echnique of Decktak SEM and X ray double cr ystal
diffraction . T he exper iment show that the surf ace in line-cutting silicon is r oug her than in ID-cutting silicon
- - .
and the surf ace damag e in line cut ting silicon is much mor e than in I D cutting silico n But the damag e
thickness in line-cutting silico n is smaller than in ID-cutting silicon . T he possible reaso ns of the g eneration of
- .
sur f ace da mage in line cutting silicon ar e discu ssed in this paper also
Key wordscut ; sur f ace damag e; silico n
[2]
, ,
1 引 言 , , 12
, , ,
, , ,
, 178m ,
, , , ,
, 10
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