电子技术基础第二精读.doc

电子技术基础教案 任课教师 姓 名 任课 班级 科 目 授课日期 本教案授课节数 审批 课题 § 课型 理论课 教学 目的 1.知识目标：使学生 2.能力目标：使学生对有更的了解及认识。 3.德育目标：培养学生养优良的道德品质，及良好的职业道德。 教学 重点 使学生 教学 难点 使学生 教学方法 教学手段 教具设备 1. 教学教具：实物教具 2. 教学方法：讲解法、提问启发法、谈话教学法、讨论教学法、案例教学法、归纳总结法 课前准备：教室、教学教具的准备落实到位 教学过程（含课前准备、组织教学、复习提问、导入新课、讲授新课、练习巩固新课、总结、布置作业及预习；板书板画设计与时间分配） 教学过程 一、组织教学： （1）由班长组织学生提前5分钟进入课堂点名考勤；检查学生着装，仪容仪表，准备上课。 (2)上课，师生问候：师：“上课！”，班长：“起立！”，师：“同学们好！”，生：“老师好！”，师“请坐！” 二、： 备 注 （3分钟） 法 三、导入新课： §2-1 半导体三极管 四、讲授新课 共发射极电路 注：发射极是输入回路、输出回路的公共端 1）输入特性曲线 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE = 0.6~0.7V P NP型锗管 UBE = 0.2 ~ ( 0.3V 特点: 非线性 2）输出特性曲线 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC = βIB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 （2）截止区 IB < 0 以下区域为截止区，有 IC=0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 （3）饱和区 当UCE=UBE时，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，βIB =IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时，硅管UCES =0.3V，锗管UCES = 0.1V。 2. 三极管的主要参数 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 (1) 电流放大系数 直流电流放大系数 交流电流放大系数 注：常用晶体管的β 值在20 ~ 200之间。 (2) 集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 (3) 集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ICEO受温度的影响大。 (4) 集电极最大允许电流 ICM 集电极电流 IC上升会导致三极管的β值的下降，当β值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 (5) 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25(C、基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。 (6) 集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC =PCM =IC UCE 注：硅管允许结温约为150℃，锗管约为70～90℃ 3. 晶体管参数与温度的关系 1）温度每增加10℃，ICBO增大一倍。硅管优于锗管。 2）温度每升高 1℃，UBE将减小 –(2~2.5)mV，即晶体管具有负温度系数。 3）温度每升高 1℃，β 增加 0.5%~1.0%。 五、课堂练习 例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40(A，IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 (A, IC=2.3mA。 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 在以后的计算中，一般作近似处理： 六、教学小结 七、布置作业及预习 1．布置作业：P页 习题题； 2．预习：§-2 共射极基本放大电路 七、教学后记 备 注 （分钟） 导入法 板书 （分钟） 讲述法 谈话法 讲解法 案例教学法 （（分钟） 练习法（分钟） 归纳法 总结法 （1分钟） 任课教师 姓 名 任课 班级 科 目 授课日期 本教案授课节数 审批 课题 §-2 共射极基本放大电路 课型 理论课 教学 目的 1.知识目标：使学生 2.能力目标：使学生对有更