模拟电子技术基础(国防科技大学)第三章习题及答案(大题).doc

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模拟电子技术基础(国防科技大学)第三章习题及答案(大题)

习题 一、填空题 1.晶体管工作在放大区时,具有 发射结 正偏、 集电结 反偏的特点。 2.晶体管工作在饱和区时,具有 发射结 正偏、 集电结 正偏的特点。 3. 饱和失真和截止失真属于 非线性失真 ,频率失真属于 线性失真 。 4.共集电极放大器又叫射极输出器,它的特点是:输入电阻 高 (高、低);输出电阻 低 (高、低);电压放大倍数约为 1 。 5.多级放大器由输入级、_________ 和输出级组成;其耦合方式有______和直接耦合、变压器耦合三种三种最基本组态的放大器分别是共基极放大电路、__________和___。dB B.6dB C.9dB D.20dB 5.多级放大电路与单极放大电路相比,总的通频带一定比它的任何一级都( D )。 A.大 B.小 C.宽 D.窄 6.当信号频率等于放大电路的或时,放大倍数的值约下降到中频时的( B )。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 7.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(B ),而低频信号作用时放大倍数下降的原因是(A )。 A.耦合电容和旁路电容存在 B.半导体极间电容和分布电容的存在 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 8.uGS=0时,能够工作在恒流区的场效应管有( A )和( C )。 A、结型管  B、增强型MOS管   C、耗尽型MOS管 三.分析与计算题 1.试判别题图3-1 所示各电路能否对正弦信号进行电压放大?为什么?各电容对电信号可视作短路。 (a) (b) (c) (d) (e) 题图3-1 (f) 解:图(a):因为输出信号被短路了,所以不能进行电压放大。 图(b):因为输入信号被短路了,所以不能进行电压放大。 图(c)中管子截止,电路不能正常放大。应将RB改接在b极与地之间。 , (1)求电路的Q点、、和。 (2)设,问、若开路则、 题3-2图 解:(1) Q 点: 、和 , , 。 (2)设Us = 10mV (有效值),则 ; 若C3开路,则: , , 。 3.已知题图3-3(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示。 (1)利用图解法求解Q点; (2)利用等效电路法求解、和。 题图3-3(a) 题图3-3(b) 题3-3图(c) 解:(1)在转移特性中作直线,与转移特性的交点即为Q点;读出坐标值,得出。如下图所示。 (a) (b) 在输出特性中作直流负载线,与的那条输出特性曲线的交点为Q 点,。如解图(b)所示。 (2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。 ; ; 4.如题图3-4所示的电路是能稳定静态工作点的射极偏置电路。若已知:,,,,三极管为硅管,,欲使,问基极上的偏置电阻应为多大?此时和各为多少? 题图3-4 解:根据直流通路可知: 5.电路如题图3-5所示。设FET参数为:mA,V。当时,判断场效应管是处在恒流区还是可变电阻区? 解:我们采用假设法来判断,首先假设管子工作在恒流区,根据结型场效应管恒流区iD和uGS的关系式可以求出电流iD: 根据输出回路方程可以求出UDS。 因此可得 UGD=UGS-UDS=—4.3V。 在假设条件下得出的结论是UGDUGsoff,说明靠近漏极处的沟道被夹断,管子进入恒流区。分析结果与假设相符,可以得出结论:管子工作在恒流区。 6.放大电路如图所示,已知晶体管的V,各电容对信号可视为短路。计算和的值。 解:(V) (mA) (V) 7

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