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全国2012年4月高等教育自学考试.doc

全国2012年4月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码:02234 一、单项选择题本大题共l5小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在本征半导体中加入少量的五价元素后,可形成( ) A.P型半导体,其少子为自由电子 B.N型半导体,其多子为自由电子 C.P型半导体,其少子为空穴 D.N型半导体,其多子为空穴 2.理想二极管构成的电路如题2图所示,则输出电压UO为( ) A.3V B.0V C.-3V D.-V 3.关于三极管的结构特点,以下说法不正确的为( ) A.基区很薄 B.基区掺杂浓度最高 C.发射区掺杂浓度最高 D.发射结的结面积小于集电结的结面积 4.测得某放大电路中的三极管,各管脚电位如题4图所示,则可判定该管为( ) A.锗管①为b极 B.硅管③为c极 C.锗管②为e极 D.硅管③为b极 5.题5图所示为场效应管符号。( ) A.N沟道增强型 B.N沟道耗尽型 C.P沟道增强型 D.P沟道耗尽型 6.关于射极输出器的特点,以下说法错误的是( ) A.输入电阻很大 B.输出电阻很小 C.电压放大倍数近似等于l D.输出电压与输入电压相位相反 7.放大电路如题7图所示,该电路引入了交直流( ) A.电流并联负反馈 电流串联负反馈 C电压并联负反馈 D.电压串联负反馈 8.题8图所示的RC桥式正弦波振荡电路的振荡角频率为( ) A.RC B.2πRC C. D. 9.单相桥式整流电容滤波电路,接负载RL=120,已知变压器二次侧电压有效值U2=100V,则输出电流的平均值I0为( ) A.1A B.0.5A C.0.75A D.2A 10.电路如题10图所示,已知稳压二极管稳定电压UZ=6V,则输出电压UO为( ) A.12V B.6V C.14V D.0V 11.四变量逻辑函数F(A,B,C,D)的最小项m10为( ) A. B. C.ABC D.ACD l2.题l2图为同步RS触发器,已知SD=RD=l。在CP=1期,当S=1,R=0时,触发器输出状态Qn+1为( ) A.1 B.0 C.Qn D.不定 3.集成双向移位寄存器74LSl94应用电路如题13图所示,设电路初态Q0Q1Q2Q3=1001,则经过三个CP脉冲作用后,电路状态Q0Q1Q2Q3=( ) A.1001 B.0011 C.110 D.1100 14.十六进制数(5B)16所对应的二进制数为( ) A.(1011001)2 B.(1011101)2 C.(1011011)2 D.(1101011)2 l5.由555构成的施密特触发器当5脚悬空时,回差电压△U为( ) A. B. C.UCC D.0 二、填空题(本大题共9小题,每小题1分,共9分) 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 l6.已知某放大状态的晶体管=99,IE=1mA,则IB=__________mA。 17.在甲类、乙类、甲乙类这三种功率放大电路中,效率最低的是____________功率放大电路。 18.产生自激振荡的幅值平衡条件为AF=__________。 l9.负反馈放大电路当满足反馈深度 __________时,称为深反馈放大电路。 20.单相半波整流电路,变压器副边电压的有效值U2=20V,输出电压的平均值为__________V。 21.十进制数(74.56)10所对应的8421BCD码为(__________)8421BCD。 22.在逻辑电路中,将OC的输出端直接联在一起,称为__________联接。 23.T触发器的特性方程为__________。 24.由555构成的多谐振荡器有__________个暂稳态。 三、分析计算题(本大题共5小题,每小题8分,共40分) 25.放大电路如题25图所示,三极管的电流放大系数为,输入电阻为,发射结静态压降为UBEQ。电容C1、C2容量足够大。要求: ①画出直流通路,写出静态量ICQ、UCEQ的表达式; ②画电路的交流微变等效电路; ③写出输出电阻r0的表达式。 26.由理想集成运算放大器构成的运算电路如题26图所示。 ①请问A1、A2各构成何种运算电路? ②若ui=10mV,分别计算Ol和O2; ③指出A2引入了何种负反馈组态。 27.将下列逻辑函数式化为最简“与或”式。 ①F1(A,B,C,D)=∑m(0,2,5,7,8,l0,13,15) ②F2= 28.已知电路如题28图所示。要求: ①写出F的逻辑函数表达式并化为最简“与或”式

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