苏州吉远电子科技有限公司开关电源器件之MOSFET介绍20170115pdf.PDF

Design .Selection. Service. Support. 苏州吉远 电子科技有限公 司 Suzhou Jiyuan Electronic & Technology Co . , Ltd MOSFET产品介绍 Products Presentation 绿 色节能MOSFET 1 东微MOS 产品特点介绍 2 MOS产品技术优点 3 MOS产品选型表 4 MOS产品实用案例 吉远科技 科技节源 Design .Selection. Service. Support. 东微半导体 的GreenMOS 器件世界上首次实现高软度深槽超级结技术原理 （图1） ，与传统的VDMOS 最大区别 ，加入P柱使漂移 区PN 结出现交替结构及基于其 电荷 平衡技术，衬底掺杂浓度可以大幅提 高，其导通 电阻因而大大降低的同时也维持 较高的耐压 。由此打破 以往硅极限，使导通 电阻和击穿耐压达到近似 线性 关系， GreenMOS 器件进一步优化 了工艺参数 ，器件 内部 电场更加均衡 （图2） ，性能也 更加 出色和稳 定。 东微半导体公 司产品特点介绍 吉远科技 科技节源 Design .Selection. Service. Support. 图3 图4 图5 超级结器件 包括 多层外延 （图3）和传统深槽外延 （图4）两种制造工艺。前者成 本较高，而后者 由于其开关软度不够，容易出现开关震 荡并 引起 电磁兼容 （EMC） 问 题。GreenMOS具有专利的制程和器件结构设计 ，对传统技术进行 了优化 （图5）, 提 升 了器件开关的软度并改善 了外延缺陷，解决 了传统超级结器件 电磁兼容和外延缺陷 可靠性差的问题。其高效率的开关性能接近 昂贵的氮化镓 器件 ，成熟的硅加工技术使 GreenMOSTM 器件具备极高的可靠性。 吉远科技 科技节源 Design .Selection. Service. Support. 1. 高软度深槽超级结技术:专利技术解决深槽超级结的EMI 问题,在EMI得 到解决 同时不损 失效率； 2.Rds_on 阻抗小，导通损耗 小,漏极 电流更加平滑,波形更软,过冲小； 3.栅 电荷(Qg) 更小，栅极驱动 电路要求低。意味着驱动IC 中的功率管面 积可以大幅缩小，驱动 芯片面积可大幅缩小，成本竞争力增强; 4.漏 电流(Idss) 更小，耐压(BV)一致性更高； 5.Cgd寄生 电容小, 开关速度快, 开关损耗 小,可用于高端350kHz 电源系统。 吉远科技 科技节源 Design .Selection. Service. Support. 产品选型列表 500V to 600V 2A to 78A BVDSS/V Rdson/Ω 对应 VDMOS Class PN Package Ids/A