5-5 MOSFET 的直流参数与温度特性.pdf

5.5 MOSFET 的直流参数与温度特性 5.5.1 MOSFET 的直流参数 1、阈电压V T 2、饱和漏极电流IDSS 只适用于耗尽型MOSFET，表示当V = 0，V > V 且 GS DS Dsat 恒定时的IDsat ，即  2  2 I (V V ) V DSS GS T T 2 2 3、截止漏极电流 只适用于增强型MOSFET，表示当V = 0 ，外加V 后的 GS DS 亚阈电流与PN 结反向电流引起的微小电流。 4、通导电阻Ron 表示当MOSFET 工作于线性区，且V 很小时的沟道电阻。 DS 当V 很小时，I 可表示为 DS D  1 2  I  (V V )V  V (V V )V D  GS T DS 2 DS  GS T DS V 1 L R DS on I (V V ) Z C (V V ) D GS T n OX GS T 5、栅极电流IG 表示从栅极穿过栅氧化层到沟道之间的电流。栅极电流IG 极小，通常小于10-14 A 。 5.5.2 MOSFET 的温度特性 1 、阈电压与温度的关系 1 V  QOX  1 2 qN (2 V )2 2 T MS s A FB BS FB C C OX OX 上式中与温度关系密切的只有FB ， 1 d V 2(2 qN ) 2 d d T s A  FB 2 FB dT 1 dT dT C 2(2 V