实验目的：NaI（Tl）单晶γ能谱仪.ppt

电压漂移对峰位的影响： 谢 谢！ * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 　中国.中学政治教学网崇尚互联共享 　中国.中学政治教学网崇尚互联共享 实验目的： Key words： γ射线， 能谱仪， 定标曲线， 处理数据 实验原理： γ射线与物质的相互作用 1.光电效应（电磁辐射，E=hν） 2.康普顿效应（非弹性碰撞，反冲电子） 3.电子对效应 （ ） 2. γ能谱仪： 3. γ能谱 4.能量分辨率 实验内容： 1.能谱仪定标 2.卡全能峰方法求铅对射线的质量吸收系数 3.研究高压与探头分辨率的关系，对谱峰位置的影响 4.研究内容3中不同高度源位置对实验结果的影响 实验结果： 用 Cs137的一个光电峰和 Co60的对能谱定标0.662 Mev; 1.17 Mev; 1.33Mev 由图可知 E=-0.01912+0.00157CH 带入Na22的光电峰和正负电子湮灭峰的道数CH得 E1=0.5051MeV （0.511） E2=1.2918MeV （1.275） Cs137的反散射峰 E3=0.1644MeV （0.184） E4=0.4864MeV （0.478） 固定位置铅的质量吸收系数μ： 放射衰减公式 I=I0*exp(-με)=I0*exp（-μζx） 取对数lnI=lnI0-μζx 斜率为（-μζ） 又光电峰面积S正比于I， ∴ lnS 正比于 x，斜率为-μζ 对lnS=A+Bx 进行直线拟合，即可得μ=-B/ζ A=10.300 B=-0.09238 =0.99896 ∴μ=-B/ζ=(0.0920.001) 散射截面： Κ為吸收系数，n为散射中心截面 2.对不同位置源铅的质量吸收系数： I=I0*exp(-με)=I0*exp（-μρN） I(iN)=I(i0)exp(-μNρ) I(iM)=I(i0)exp(-μMρ) ∴I(iN)/ I(iM)= exp(-μ(M-N)ρ) 可推出 I(iN)= exp(-μ(M-N)ρ) I(iM) 取（I（i3），I（i2）），（I（i2），I（i1）），（I（i1），I（i0））三点拟合，斜率为K（i）=exp(μρ) 取（I（i3），I（i1）），（I（i2），I（i0））两点拟合， 斜率K（i）=exp(2μρ) 也可得到不同i下的μ值 μ1=0.084；μ2=0.091； μ3=0.147；μ4=0.539； 以上数据对应： d1=1.70 cm； d2=2.30 cm； d3=4.08cm； d4=8.50 cm； 　中国.中学政治教学网崇尚互联共享 　中国.中学政治教学网崇尚互联共享 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *