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第五章 存储器及其接口
1. 单项选择题
(1) DRAM2164(64K╳ 1) 外部引脚有()
A.16 条地址线、 2 条数据线 B.8 条地址线、 1 条数据线
C.16 条地址线、 1 条数据线 D.8 条地址线、 2 条数据线
(2)8086 能寻址内存贮器的最大地址范围为 ()
A.64KB B.512KB C.1MB D.16KB
(3)若用 1K╳ 4b 的组成 2K╳ 8b 的 RAM,需要()。
A.2 片 B.16 片 C.4 片 D.8 片
(4)某计算机的字长是否 2 位,它的存储容量是 64K字节编址,它的寻址
范围是()。
A.16K B.16KB C.32K D.64K
(5)采用虚拟存储器的目的是()
A.提高主存的速度 B. 扩大外存的存储空间
C.扩大存储器的寻址空间 D.提高外存的速度
(6) RAM存储器器中的信息是()
A.可以读 / 写的 B. 不会变动的
C. 可永久保留的 D.便于携带的
(7)用 2164DRAM芯片构成 8086 的存储系统至少要()片
A.16 B.32 C.64 D.8
(8)8086 在进行存储器写操作时,引脚信号 M/IO 和 DT/R 应该是()
A.00 B。01 C。10 D。11
(9)某 SRAM芯片上,有地址引脚线 12 根,它内部的编址单元数量为()
A.1024 B。4096 C。 1200 D。2K
(11)Intel2167(16K ╳ 1B)需要()条地址线寻址。
A.10 B.12 C.14 D.16
(12)6116(2K╳ 8B)片子组成一个 64KB的存贮器,可用来产生片选信号的地址线是()。
A.A0~A10 B。 A0 ~A15 C。A11~A15 D。A4~A19
(13)计算一个存储器芯片容量的公式为()
A.编址单元数╳ 数据线位数 B。编址单元数╳ 字节
C.编址单元数╳ 字长 D。数据线位数╳ 字长
(14)与 SRAM相比, DRAM()
A.存取速度快、容量大 B。存取速度慢、容量小
C.存取速度快,容量小 D。存取速度慢,容量大
(15)半导动态随机存储器大约需要每隔()对其刷新一次。
A.1ms B.1.5ms C.1s D.100μ s
(16)对 EPROM进行读操作,仅当()信号同时有效才行, 。
A.OE、RD B。 OE、CE C。CE、 WE D。OE、 WE
2.填空题
(1)只读存储器 ROM有如下几种类型: _________.
(2)半导体存储器的主要技术指标是 _________。
(3)在 16 位微机系统中,一个存储字占用两个 8 位字节单元,字的低 8 位
存放在 _________、高 8 位存放在 _________。
(4) SRAM芯片 6116( 2K╳ 8B)有 _________位地址引脚线、 _________位数据引脚线。
(5)在存储器系统中,实现片选控制有三种方法,它们是 _________。
(6)74LS138译码器有三个“ 选择输入端” C、B、A 及 8 个输出端 y0~y7,当
输入地址码为 101 时,输出端 _________有效。
(7)半导体表态存储器是靠 _________存储信息,半导体动态存储器是靠 -
_________存储信息。
(8)对存储器进行读 / 写时,地址线被分为 _________和 _________两部分,它们分别用以产生 _________和_________信号。
3.多项选题
(1) DRAM的特点是()
A.可读 B.可写 C.信息永久保存
D.需要刷新 E.一旦关机,其信息丢失
(2)一般所说存贮器的性能指标是指()
A.价格 B.容量 C.速度 D.功耗 E.可靠性
(3) 8086 对存储器进行访问所涉及到的信号有()
A .M/IO B.INTA C.DT/R D.DEN E.RD/WR
(4)哪些地址译码方式会产生地址重叠区?()
A.与非门 B.或非门 C.线译码 D.部分译码 E.全译码
(5) 8086 访问内存可能执行()总线周期。
A.一个 B.二个 C.三个 D.四个 E.五个
(6) HM6116 芯片上哪些引脚信号控制其工作方式?()
A .CE B.OE C.RD D.WE E.M/IO
(7)8086/8088 不论是访问内存还是访问外设,在所发出的控制信号中相同的部分是()
A .M/IO B.RD/WR C.DEN D.DT/R E.ALE
4.判断说明题
(1) PROM 是可以多次改写的 ROM 。()
(2) E PROM、 PROM、 ROM关机后,所存住处均
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