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半导体常用缩写词汇汇总 EPI 外延 PM 设备维护与保养 PCW 工艺冷却水 PMC 生产计划与物料控制 PLC 可编程序控制控制器 H2 氢气 Sb 锑 N 氮气 As 砷 2 SiHCl 3 （TCS）三氯氢硅 B 硼 PH 磷烷 CMOS 互补金属氧化物半导体 3 HCl 氯化氢 CMP 化学机械抛光 Hg 汞（水银） ESD 静电释放 HNO3硝酸 H 2O2 双氧水 HF 氢氟酸 MOS 金属氧化物半导体 SPC 统计过程控制 PCM 工艺控制监测 MRB异常评审委员会 PCN 工艺变更通知单 CAB 变更评审委员会 ECN 工程变更通知单 OCAP 失效控制计划。 指制程过程中失控时所应采取的对应措施。 是一种受控文 件，包含造成异常的因素等 PSG 磷硅玻璃 TF 薄膜 PVD 物理气相淀积 PHO光刻 PCB 印刷电路板 DIF 扩散 RF 射频 II 注入 UV 紫外线 CVD 化学气相淀积 VPE 气相外延 SPV 扩散长度 Bubbler 鼓泡器 CD 关键尺寸 EMO 设备紧急按钮 CD-SEM线宽扫描电镜ScrubbLer 尾气处理器 ETCH刻蚀 （腐蚀） Coat 包硅 H2-BAKE 氢气烘烤 SRP 外延层纵向电阻率分布 1 号液：（NHOH:HO： HO） NH4OH : H2O2 : H2O=1 : 2 : 7 ， 4 2 2 2 2 号液：（HCl：H O：H O） HCl : H2O2 : H2O=1 : 2 : 5 2 2 2 3 号液（ Caros 清洗液）： (H2SO4:H2O2 ) H2SO4 : H2O2=3 : 1 ， 4#号液 :H2O:HF=10:1 CV： 电容 - 电压测试 BOE混酸：氟化铵氢氟酸混合腐蚀液液 CZ：切克劳斯基直拉法 Wafer ： 抛光片 FZ：区熔方法 THK ：膜厚 Rs：电阻 TTV: 总厚度偏差 TIR：平整度 STIR ：局部平整度 LTO：背封 BOW: 弯曲度 CHIP:崩边 SLIP ：滑移线 MARK:痕迹 WARP ：翘曲度 CRACK:裂纹 SPOT: 斑点 HAZE：发雾 CROWN ：皇冠，边缘突起物 OISF: 氧化诱生层错 ORG: 掺 As 单晶抛光片 O2含量径向均匀性 OSF：氧化层错 BMV ：气体流量控制阀 LIFE TIME：寿命 POINT DEFECT: 点缺陷 Integrated circuit ：集成电路 epitaxial layer ：外延层 Buried layer ：埋层 interface ：界面 Diameter ：直径 chemical vapor polish 化学气相抛光 Polished surface ：表面抛光 back side ; 反面 Front side ：正面 INJ ：引入气体流量 DIL：稀释气体流量 Autodoping ：自掺杂 Sccm：毫升 / 每分钟 Slm ：升 / 每分钟 CDA:压缩空气 PN ：工艺氮气 2 Cable ：电缆 MES ：生产过程执行管理系统 SFC：生产车间集中 MDC：生产数据及设备状态信息采集分析管理系统 PDM：制造过程数据文档管理系统 MSA:量具测量系统分析 KPI：关键表现指标 , 销售指标 Alarm ：报警 MSA: 使用数据统计和图表的方法对测量系统的分辨率和误差进行分析 QA: 指质量管理、品质的保证、质量的评估 / 评价 QC: 指质量检验和控制、分析、改善和不合格品控制人员的总称 OOC/oos: OOS：检验结果偏差超过规格、不合格 OOC: 产品质量失去控制，需要采取返工、召回等手段。处理过程需要加入偏差报告 PDCA: 策划 - 实施 - 检查 - 改造 ROSH: 电子产品中有害物质的含量 （如 Pb 鉛 、 Cd 镉 、 Hg 汞、 六价 Cr 铬） 见下一页！ BPM ----- 文件审批流程 CAB ------ 变更评审委员会 COC- ---- 表示产品的一致性，不提供实测数据是一个证明 COA ----- 实测数据在中体现 EHS ----- 是环境 Environment 、健康 Health 、安全 Safety 的缩写 EOS ------ 去除边缘氧化层 GRR ----Gauge Reproducibitity and Repwtabitity 测量再现性 （测量设备变异） 和再生性（测量人员 /方法变异） IQC ------ 对供应商的来料进行检验 MES ----- 生产制造执行管理系统（面向车间的生产管理技术与实时信息系统。 快速反应、有弹性、精细化的制造业环境，提高产品质量降低生产成本。 。。。。） MO -- --