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1;刻蚀技术分为湿法刻蚀和干法刻蚀，干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术，其 中以等离子体干法刻蚀为主导，干法刻蚀占刻蚀市场份额的90 。在干刻工 艺中，根据等离子体产生和控制技术的不同，又分为电容耦合等离子体 CCP刻蚀机和电感耦合等离子体ICP刻蚀机;;;;干法刻蚀：干法刻蚀是把暴露于空气中产生的等离子体通过光刻胶中开出的窗口，使刻蚀气体分解、电离，由产生的活性基及离子对基板进行刻蚀的工艺过程。
湿法刻蚀：湿法刻蚀是把腐蚀硅片放在化学腐蚀液里去除表面层材料的工艺过程。
光刻胶：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。
氧化物：属于化合物，其组成中只含两种元素，其中一种一定为氧元素，另一种若为金属元素，则称为金属氧化物；若另一种不为金属元素，则称之为非金属氧化物
电容型刻蚀机： CCP利用电容耦合产生等离子体的刻蚀机。
电感耦合性刻蚀机： ICP利用电感耦合产生等离子体的刻蚀机。
掩模版：内部刻着线路设计图的玻璃板。
掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级。
硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大产率越高。;;;;;?2021 LeadLeo;14;15;;;刻蚀领域同行业公司技术对比;;?2021 LeadLeo;21;22
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