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模块终结测评(一)
本试卷分第Ⅰ卷(选择题)和第Ⅱ卷(非选择题)两部分,共100分,考试时间90分钟.
第Ⅰ卷(选择题 共36分)
一、选择题(本题共9小题,每小题4分,共36分.在每小题给出的四个选项中,有的只有一个选项符合题意,有的有多个选项符合题意,全部选对的得4分,选对但不全的得2分,选错或不答的得0分)
1.(多选)下列应用中与涡流有关的是( )
A.高频感应冶炼炉
B.金属探测器
C.电磁灶
D.闭合线圈在匀强磁场中转动,切割磁感线产生电流
2.一只“220 V 100 W”的灯泡接在u=311sin 314t(V)的交变电源上,则下列判断错误的是( )
A.在1 min内,灯泡上产生的热量是22 000 J
B.与灯泡串联的电流表的示数为0.45 A
C.与灯泡并联的电压表的示数为220 V
D.通过灯泡的电流的表达式为i=0.64sin 314t(A)
3.关于磁通量,正确的说法有( )
A.磁通量不仅有大小,而且有方向,所以是矢量
B.在同一匀强磁场中,a线圈的面积比b线圈的大,则穿过a线圈的磁通量一定比穿过b线圈的大
C.磁通量大的磁感应强度不一定大
D.把某线圈放在磁场中的m、n两点,若放在m处的磁通量大,则m处的磁感应强度一定比n处的大
4.长为4L的粗细均匀的金属杆围成一个正方形闭合框架,框架放在光滑的水平桌面上,另一根长为L的同种材料、同样粗细的金属杆ab搁在其上,如图M-1-1所示.匀强磁场垂直穿过框架平面,不计一切摩擦.当金属杆ab获得一个初速度沿框架从左向右运动的过程中( )
图M-1-1
A.任一时刻ab杆的加速度大小均是框架加速度大小的4倍
B.任一时刻ab杆的加速度方向均和框架的加速度方向相同
C.ab杆对地做匀减速运动,框架对地做匀加速运动
D.任一时刻ab杆的发热功率均是框架发热功率的eq \f(1,4)
5.(多选)在如图M-1-2(a)所示的虚线框内有匀强磁场,设图示磁场方向为正,磁感应强度随时间变化规律如图(b)所示.边长为l,电阻为R的正方形均匀线框abcd有一半处在磁场中,磁场方向垂直于线框平面,此时线框ab边的发热功率为P,则下列说法正确的是( )
图M-1-2
A.磁感应强度B0=eq \f(T,2l2)eq \r(PR)B.线框中感应电流为I=2eq \r(\f(P,R))
C.线框cd边的发热功率为P D.a端电势高于b端电势
6.(多选)半导体中参与导电的电流载体称为载流子.N型半导体的载流子是带负电的电子,P型半导体的载流子是带正电的“空穴”.一块厚度为d、底面边长为l的长方体半导体样品,置于方向如图M-1-3所示、磁感应强度大小为B的匀强磁场中,当半导体样品中通以图示方向、大小为I的恒定电流时,样品的上、下底面出现恒定电势差U,且上表面带正电、下表面带负电.设半导体样品中每个载流子带电荷量为q,半导体样品中载流子的密度(单位体积内载流子的个数)用n表示,则下列关于样品材料类型的判断和其中载流子密度n的大小,正确的是( )
图M-1-3
A.是N型半导体 B.是P型半导体
C.n=eq \f(BI,qdU)D.n=eq \f(BI,qlU)
7.如图M-1-4所示,交流电流表A1、A2、A3分别与电阻R1、电容器C和电感线圈L串联后接在正弦式交流电源上,交流电流表A4与电阻R2串联后接在理想变压器副线圈的两端.如果保持供电电压的最大值不变,而增大供电电压的频率,电流表示数不变的是( )
图M-1-4
A.电流表A1和A2B.电流表A1和A4
C.电流表A3和A2D.电流表A3和A4
8.(多选)利用如图M-1-5所示的电流互感器可
图M-1-5
以测量被测电路中的大电流,若互感器原、副线圈的匝数比n1∶n2=1∶100,交流电流表A的示数是50 mA,则( )
A.被测电路的电流的有效值为5 A
B.被测电路的电流的平均值为0.5 A
C.被测电路的电流的最大值为5 eq \r(2)A
D.原、副线圈中的电流同时达到最大值
9.随着社会经济的发展,人们对能源的需求日益扩大,节能变得越来越重要.某发电厂采用升压变压器向某一特定用户供电,用户通过降压变压器用电.若发电厂输出电压为U1,输电导线总电阻为R,在某一时段用户需求的电功率为P0,用户的用电器正常工作的电压为U2.在满足用户正常用电的情况下,下列说法正确的是( )
A.输电线上损耗的功率为eq \f(Peq \o\al(2,0)R,Ueq \o\al(2,2))
B.输电线上损耗的功率为eq \f(Peq \o\al(2,0)R,Ueq \o\al(2,1))
C.若要减少输电线上损耗的功率可以采用更高的电压输电
D.采用更高的电压输电会
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