模拟电路考试题及答案精.doc

自测题一 一、判断题 1．因为 P 型半导体的多半载流子是空穴， 所以它带正电。 F ） 2．在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。（ T ） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多半载流子漂移所形成的。（ F ） 二、单项选择题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。 A．外电场 B ．内电场 C ．混杂 D．热激发 2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好 坏，好的管子应为（ C ）。 A．正、反向电阻相等 B ．正向电阻大， 反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大好多倍 D ．正、反向电 阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时 将（ B ）。 (X 轴为电压 )  A．右移 B．左移 C．上移 D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的 正向导通电流将（ A ）。 A．增大 B．减小 C．不变 D．不确定 5．三极管β值是反应（ B ）能力的参数。（三极管可改 为电流控制 电流源） A．电压控制电压 B ．电流控制电流 C ．电压控制电流 D ．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的 值将（ A ）。 A．增大 B ．减少 C ．不变 D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。 A．电流放大系数 B ．最大整流电流 C．集电极最大允许电流 D ．集电极最大允 许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为 U 1 6V ， U 2 5.4V ， U 3 12V ，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A． e, b, c B ．b, e, c C ．b, c, e D ． c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B ）运动形成的。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为 PN结的 单向导电性 性 A．多半载流子 B ．少数载流子 C．扩散 D ．少数载流子和 能。 多半载流子共同 4． PN结加正向电压时，空间电荷区将 变窄 。 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是 6V、 5． PN结正向偏置时， PN结的内电场被 削弱 。 12V 和 6.7V ，则此三极管是（ （发正偏集反偏） 6．三极管最重要的特性是 电流放大作用 。 D ）。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将 ．型硅管 B ． 型锗管 C ． 型锗管 增大 。 A PNP PNP NPN ． 型硅管 8．场效应晶体管属于 电压 控制器件。 D NPN 9．场效应管的最大优点是 ．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。 输入电阻高 。 11 A．非饱和区 B ．饱和区 C ．截止区 10． U GS 0 时，不能工作在恒流区的场效应管有 增强型 D．击穿区 MOS管 。 12．增强型绝缘栅场效应管， 当栅极 g 与源极 s 之间电压 11．开启电压 U GS (th ) 0 的是 N沟道增强型 场效应管。 为零时（ B ）。 ．开启电压 U GS (th) 0 的是 P 沟道增强型 场效应管。 12 A．能够形成导电沟道 B．不能形成 4 导电沟道 自测题二 C．漏极电流不为零 D．漏极电压 为零 一、判断题 三、填空题 1．晶体管的输入电阻 rbe 是一个动向电阻，故它与静态工 1．在杂质半导体中， 多半载流子的浓度主要取决于 混杂 作点无关。（ F ） 浓度 。 2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂 （ T ） 移 。 3．只有电路既放大电流又放大电压， 才称其有放大作用。 （ F ） A．共射放大电路 B ．共基放 4．在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动向 大电路 电流。（ F ） C．共集放大电路 D ．不能确 5．直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大沟通 定 信号。（ F ） 5．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的 二、单项选择题 静态管压降 UCE近似等于电源电压 UCC时 ，则该管工作状 （无电流） 1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻 态为（ B ）。 将（ C）。 A．饱和 B ．截止 C ．放大 A．增大 B ．减少 C ．不变 D．不能确定 D．不能确定 6．晶体管能够放大的外部条件是（B ）。 2．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电 A．发射结正偏，集电结正偏 B ．发射结正偏，集 阻将（ C ）。 电结反偏 A．增大 B ．减少 C ．不变 C．发射结反偏，集电结正偏 D ．发射结反偏，集 D．不能确定 电结反偏 3．在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是 7．组合放大电路的输出级采用射极输出 （共集