pnp双极型晶体管的设计.docx

目录 TOC \o "1-5" \h \z 课程设计目的与任务 2 设计的内容 2 设计的要求与数据 2 物理参数设计 3 各区掺杂浓度及相关参数的计算 3 集电区厚度 Wc的选择 6 基区宽度WB 6 扩散结深 10 芯片厚度和质量 10 晶体管的横向设计、结构参数的选择 10 工艺参数设计 11 工艺部分杂质参数 11 基区相关参数的计算过程 11 发射区相关参数的计算过程 13 氧化时间的计算 14 设计参数总结 16 工艺流程图 17 生产工艺流程 19 版图 28 心得体会 29 参考文献 30 PNP双极型晶体管的设计 1、 课程设计目的与任务 《微电子器件与工艺课程设计》是继《微电子器件物理》、 《微电子器件工 艺》和《半导体物理》 理论课之后开出的有关微电子器件和工艺知识的综合应用 的课程，使我们系统的掌握半导体器件， 集成电路， 半导体材料及工艺的有关知 识的必不可少的重要环节。 目的是使我们在熟悉晶体管基本理论和制造工艺的基础上， 掌握晶体管的设 计方法。要求我们根据给定的晶体管电学参数的设计指标， 完成晶体管的纵向结 构参数设计—晶体管的图形结构设计—材料参数的选取和设计—制定实施工艺 方案一晶体管各参数的检测方法等设计过程的训练，为从事微电子器件设计、集 成电路设计打下必要的基础。 2、 设计的内容 设计一个均匀掺杂的pnp型双极晶体管，使T=300K时，B =120, Vce=15V,Vcbo=80V.晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为 lc=5mA设计 时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。 3、 设计的要求与数据 （1） 了解晶体管设计的一般步骤和设计原则。 （2） 根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度 NE, NB, 和 Nc, 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数， 迁移率，扩散长度和寿命 等。 （3） 根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度 Wc， 基本宽度W,发射区宽度 W和扩散结深 兀，发射结结深Xe等。 根据扩散结深Xjc,发射结结深Xe等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩 散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化 时间。 根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、 发射区和金属接触孔的光刻版图。 根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。 4、物理参数设计 各区掺杂浓度及相关参数的计算 击穿电压主要由集电区电阻率决定。 因此，集电区电阻率的最小值由击穿电 压决定，在满足击穿电压要求的前提下，尽量降低电阻率，并适当调整其他参量, 以满足其他电学参数的要求。 对于击穿电压较高的器件，在接近雪崩击穿时，集电结空间电荷区已扩展至 均匀掺杂的外延层。 因此，当集电结上的偏置电压接近击穿电压 V时，集电结可 用突变结近似，对于 杂质浓度为： 3 Si器件击穿电压为Vb 6 1013(Nbc) 4 ，由此可得集电区 6 1013 4 Nc （ ）3 BVcbo 13 4 （-- / n 1 BVceo 由设计的要求可知C-B结的击穿电压为: 根据公式,可算出集电区杂质浓度： 般的晶体管各区的浓度要满足 NE>>NB>NC根据以往的经验可取 即各区的杂质溶度为: 图 1 室温下载流子迁移率与掺杂浓度的函数关系（器件物理 P55） 根据图 1，得到少子迁移率： 根据公式可得少子的扩散系数： 图 2 掺杂浓度与电阻率的函数关系（器件物理 P59） 根据图 2，可得到不同杂质浓度对应的电阻率： 图 3 少子寿命与掺杂浓度的函数关系（半导体物理 P177） 根据图 3，可得到各区的少子寿命 C、 B 和 E 根据公式得出少子的扩散长度： 集电区厚度Wc的选择 根据公式求出集电区厚度的最小值为： WC的最大值受串联电阻rcs的限制。增大集电区厚度会使串联电阻 rcs增加, 饱和压降VCes增大，因此 W的最大值受串联电阻限制。 综合考虑这两方面的因素，故选择 WC=8卩m 基区宽度WB 基区宽度的最大值 对于低频管，与基区宽度有关的主要电学参数是 ，因此低频器件的基区宽 度最大值由 确定。当发射效率丫" 1时，电流放大系数-［终］，因此基区 Lnb 宽度的最大值可按下式估计：WB ［鸟？ 为了使器件进入大电流状态时， 电流放大系数仍能满足要求，因而设计过程 中取入=4。根据公式，求得低频管的基区宽度的最大值为: 由公式可看出，电流放大系数B要求愈高，则基区宽度愈窄。为提高二次击 穿耐量，在满足B要求的前提下，可以将基区宽度选的宽一些，使电流在传输过 程中逐渐分散开，以提高二次击穿耐性。 基区宽度的最小值 为了保证器件正常工作，在正常工作电压下基区绝对不能穿通。 因此，对