PET探测器、PET探测器的设置方法及探测方法发明专利.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108888286 A (43)申请公布日 2018.11.27 (21)申请号 201810245033.0 (22)申请日 2014.05.28 (62)分案原申请数据 201410231483.6 2014.05.28 (71)申请人 上海联影医疗科技有限公司 地址 201807 上海市嘉定区城北路2258号 (72)发明人 安少辉　张强　 (51)Int.Cl. A61B 6/03(2006.01) 权利要求书1页 说明书11页 附图9页 (54)发明名称 PET探测器、PET探测器的设置方法及探测方 法 (57)摘要 一种PET探测器、PET探测器的设置方法及探 测方法。所述PET探测器包括：晶体阵列，其包括 阵列式排列的多个晶体单元以及设置在所述晶 体单元的表面的分光结构，所述分光结构共同限 定出所述晶体阵列的出光面；相对所述晶体阵列 出光面设置且适于从所述出光面接收光子的半 导体传感器阵列，所述半导体传感器阵列包括阵 列式排列的多个半导体传感器。通过在晶体单元 上设置分光结构，相对于在晶体阵列与半导体传 感器之间设置光导片，可以有效缩短光子的传输 距离，进而可以避免由于光导片引起的光传输损 A 失，从而可以提高PET探测器的分辨率。 6 8 2 8 8 8 8 0 1 N C CN 108888286 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种PET探测器，其特征在于，包括： 晶体阵列，其包括排列成单层的多个晶体单元和设置在所述晶体单元的表面的反光 膜；以及 半导体传感器阵列，其包括多个半导体传感器，所述晶体阵列中的至少部分晶体单元 与所述半导体传感器耦接，所述晶体阵列中的晶体单元的数量大于所述半导体传感器阵列 中的半导体传感器的数量。 2.如权利要求1所述的PET探测器，其特征在于，所述晶体阵列中的至少一个晶体元件 与所述半导体传感器阵列中的一个半导体传感器耦接。 3.如权利要求1所述的PET探测器，其特征在于，所述半导体传感器阵列中的至少一个 半导体传感器与所述晶体阵列中的一个晶体元件耦接。 4.如权利要求1所述的PET探测器，其特征在于，所述耦接包括所述半导体传感器与所 述晶体单元直接接触或者通过粘合材料接触。 5.如权利要求1所述的PET探测器，其特征在于，所述反光膜共同限定出所述晶体阵列 的出光面，所述半导体传感器阵列完全覆盖所述出光面或者部分覆盖所述出光面。 6.如权利要求1所述的PET探测器，其特征在于，所述半导体传感器阵列中的两个相邻 半导体传感器之间的距离大于所述晶体阵列中的两个相邻晶体单元之间的距离。 7.如权利要求1所述的PET探测器，其特征在于，所述半导体传感器阵列中的两个相邻 半导体传感器跨越所述晶体阵列中的至少一个晶体单元。 8.如权利要求1所述的PET探测器，其特征在于，所述多个晶体单元中的至少一个晶体 单元的表面包括顶面、底面，以及位于所述顶面和底面之间的侧面，该侧面的至少部分区域 设置有所述反光膜。 9.一种PET探测器，其特征在于，包括： 晶体阵列，其包括排列成单层的多个晶体单元，所述晶体单元沿上下方向延伸，并且具 有顶面、底面和位于所述顶面和底面之间的侧面； 反光膜，其设置在所述多个晶体单元中的至少一个晶体单元的表面上； 半导体传感器阵列，其包括多个半导体传感器，所述晶体阵列中的仅部分晶体单元与 所述半导体传感器耦接，所述晶体阵列中的晶体单元的数量大于所述半导体传感器阵列中 的半导体传感器的数量。