PET探测器、PET探测器的设置方法及探测方法发明专利 (2).pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 105425270 B (45)授权公告日 2020.06.12 (21)申请号 201410231483.6 (22)申请日 2014.05.28 (65)同一申请的已公布的文献号 申请公布号 CN 105425270 A (43)申请公布日 2016.03.23 (73)专利权人 上海联影医疗科技有限公司 地址 201807 上海市嘉定区城北路2258号 (72)发明人 安少辉　张强　 (51)Int.Cl. G01T 1/24(2006.01) 审查员 张若剑 权利要求书2页 说明书12页 附图10页 (54)发明名称 PET探测器、PET探测器的设置方法及探测方 法 (57)摘要 一种PET探测器、PET探测器的设置方法及探 测方法。所述PET探测器包括：晶体阵列，其包括 阵列式排列的多个晶体单元以及设置在所述晶 体单元的表面的分光结构，所述分光结构共同限 定出所述晶体阵列的出光面；相对所述晶体阵列 出光面设置且适于从所述出光面接收光子的半 导体传感器阵列，所述半导体传感器阵列包括阵 列式排列的多个半导体传感器。通过在晶体单元 上设置分光结构，相对于在晶体阵列与半导体传 感器之间设置光导片，可以有效缩短光子的传输 距离，进而可以避免由于光导片引起的光传输损 B 失，从而可以提高PET探测器的分辨率。 0 7 2 5 2 4 5 0 1 N C CN 105425270 B 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种PET探测器，其特征在于，包括： 晶体阵列，其包括阵列式排列的多个晶体单元以及设置在所述晶体单元的表面的分光 结构，所述分光结构共同限定出所述晶体阵列的出光面； 相对所述晶体阵列出光面设置且适于从所述出光面接收光子的半导体传感器阵列，所 述半导体传感器阵列包括阵列式排列的至少三个半导体传感器； 其中，所述半导体传感器的数量小于所述晶体单元的数量。 2.如权利要求1所述的PET探测器，其特征在于，所述晶体阵列中的部分晶体单元与所 述半导体传感器阵列中对应的半导体传感器耦接。 3.如权利要求1所述的PET探测器，其特征在于，所述半导体传感器阵列中至少一个半 导体传感器与所述晶体阵列中对应的晶体单元耦接。 4.如权利要求2或3所述的PET探测器，其特征在于，所述耦接包括所述半导体传感器与 所述晶体单元接触或者通过粘合材料接触。 5.如权利要求1所述的PET探测器，其特征在于，所述半导体传感器阵列的重心与所述 晶体阵列的重心重合。 6.如权利要求1所述的PET探测器，其特征在于，所述半导体传感器阵列覆盖所述出光 面或者部分覆盖所述出光面。 7.如权利要求1所述的PET探测器，其特征在于，所述分光结构为设置在所述晶体单元 表面的反光膜或白色反光涂层。 8.如权利要求1所述的PET探测器，其特征在于，还包括：第一放大器，所述第一放大器 的输入端与所述半导体传感器阵列中的一预设行的半导体传感器的输出端连接。 9.如权利要求1或8所述的PET探测器，其特征在于，还包括：第二放大器，所述第二放大 器的输入端与所述半导体传感器阵列中一预设列的半导体传感器的输出端连接。 10.如权利要求1所述的PET探测器，其特征在于，所述分光结构在晶体单元表面的设置 与所述半导体传感器的光接收面积、半导体传感器之间的相对位置、半导体传感器与晶体 阵列之间的相对位置相匹配。 11.如权利要求1所述的PET探测器，其特征在于，所述半导体传感器的数量及位置与图