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10.2.2 硅稳压二极管稳压电路 硅稳压二极管稳压电路的原理 稳压电阻的计算 基准源 硅稳压二极管稳压电路的原理 硅稳压二极管稳压电路的电路图如图16.02所示。 它是利用稳压二极管的反向击穿特性稳压的，由于反向特性陡直，较大的电流变化，只会引起较小的电压变化。 图16.02 硅稳压二极管稳压电路 (1) 当输入电压变化时如何稳压 根据电路图可知 输入电压VI的增加，必然引起VO的增加，即VZ增加，从而使IZ增加，IR增加，使VR增加，从而使输出电压VO减小。这一稳压过程可概括如下： 这里VO减小应理解为，由于输入电压VI的增加，在稳压二极管的调节下，使VO的增加没有那么大而已。VO还是要增加一点的，这是一个有差调节系统。 VI↑→VO↑→VZ↑→IZ↑→IR↑→VR↑→VO↓ 图16.02 硅稳压二极管稳压电路 (2) 当负载电流变化时如何稳压 负载电流IL的增加，必然引起IR的增加，即VR增加，从而使VZ=VO减小，IZ减小。IZ的减小必然使IR减小，VR减小，从而使输出电压VO增加。这一稳压过程可概括如下： IL↑→IR↑→VR↑→VZ↓（VO↓）→IZ↓→IR↓→VR↓→VO↑ 稳压电阻的计算 稳压二极管稳压电路的稳压性能与稳压二极管击 穿特性的动态电阻有关，与稳压电阻R的阻值大小有关。 稳压二极管的动态电阻越小，稳压电阻R越大， 稳压性能越好。 稳压电阻R 的作用 将稳压二极管电流的变化转换为电压的变化， 从而起到调节作用，同时R也是限流电阻。 显然R 的数值越大，较小IZ的变化就可引起足够大的VR变化，就可达到足够的稳压效果。 但R 的数值越大，就需要较大的输入电压VI值，损耗就要加大。 稳压电阻的计算如下 当输入电压最小，负载电流最大时，流过稳压二极管的电流最小。此时IZ不应小于IZmin，由此可计算出稳压电阻的最大值，实际选用的稳压电阻应小于最大值。即 当输入电压最大，负载电流最小时，流过 稳压二极管的电流最大。此时IZ不应超过IZmax，由 此可计算出稳压电阻的最小值。即 (1) (2) 稳压二极管在使用时 一定要串入限流电阻，不 能使它的功耗超过规定值， 否则会造成损坏！ 基准源 基准源 一般是指击穿电压十分稳定，电压 温度系数经过补偿了的稳压二极管。 也称为参考源 这种稳压二极管采用一种埋层工艺，稳压性能优良，有的 还加有温度控制电路，使其温度系数可小到几个10-6/℃。 型号 稳定电压(V) 工作电流(mA) 电压温度系数(10 -6/ ℃) MC1403 2.5±1％ 1.2 10～100 . LM136/236/336 2.5 10 30 5.0 10 30 . TL431 2.5～36 0.4～100 50 . LM3999 ±6.95±5％ 10 5 . AD2710K/L 10.000±1mV 10 2/1 . MAX676 4.096±0.01％ 5 1 677
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