模拟电子书后复习题答案第3章.docx

习题第3章 【3-1】如何用指针式万用表判断出一个晶体管是 NPN型还是PNP型?如何判断出管子的 三个电极？锗管和硅管如何通过实验区别？ 解： 预备知识 万用表欧姆挡可以等效为由一个电源 (电池)、一个电阻和微安表相串联的电路， 如图 1.4.11 所示。 e e f ―二 c b NPN 图1.4.11 万用表等效图 图1.4.12 NPN和PN管等效图 晶体管可视为两个背靠背连接的二极管，如图 1.4.12所示。 晶体管3个区的特点：发射区杂质浓度大，基区薄且杂质浓度低，集电区杂质浓 度很低。因此，发射结正偏时，射区有大量的载流子进入基区，且在基区被复合的数量有限， 大部分被集电极所收集，所以此时的电流放大系数 卩大。如果把发射极和集电极调换使用， 则集电结正偏时，集电区向基区发射的载流子数量有限， 在基区被复合后能被发射极吸收的 载流子比例很小，所以卩反很小。 判断方法 先确定基极：万用表调至欧姆X 100或x 1k挡，随意指定一个管脚为基极，把任一 个表笔固定与之连接，用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻。 若两次测得电阻都很大(或 很小)。把表笔调换一下再测一次，若测得电阻都很小(或很大)，则假定的管脚是基极。 若基极接红表笔时两次测得的电阻都很大，为 NPf型，反之为PNP型。 判断集电极：在确定了基极和晶体管的类型之后， 可用电流放大倍数 卩的大小来确 定集电极和发射极。现以 NPf型晶体管为例说明判断的方法。 先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起， 并用一只手的中指和姆指捏住， 红表笔与 假定的发射极接在一起，再用捏集电极的手的食指接触基极， 记下表针偏转的角度，然后两 只管脚对调再测一次。这两次测量中，假设表针偏转角度大的一次是对的。 这种测试的原理 如图1.4.13所示。当食指与基极连接时， 通过人体电阻给基极提供一个电流 Ib,经放大后有 较大的电流流过表头， 使表针偏转，卩大，表针偏转角度就大。 因为卩 >> 卩反,所以表针偏转 角度大的一次假设是正确的。 图1.4.13 测试示意图 【3-2】 图3.11.1所示电路中，当开关分别掷在 1、2、3位置时，在哪个位置时I撮大， 在哪个位置时I b最小？为什么？ 图3.11.1 题3-2电路图 ［解］当开关处于位置2时，相当一个发射结，此时Ib最大。当开关处于位置1时，c、 e短路，相当于晶体管输入特性曲线中 He=0V的那一条，集电极多少有一些收集载流子的作用， 基区的复合还比较大，Ib次之。当开关处于位置 3时，因集电结有较大的反偏，能收集较多 的载流子，于是基区的复合减少， Ib最小。 3.11.2所示，试判断【3-3 3.11.2所示，试判断 晶体管分别处于哪种工作状态 (饱和、截止、放大)？ 解： 晶体管从左到右，工作状态依次为放大、饱和、截止、放大。 【3-4】分析图3.11.3所示各电路中晶体管的工作状态。-12 V1k1k5.1k 【3-4】 分析图3.11.3所示各电路中晶体管的工作状态。 -12 V 1k 1k 5.1k 12V 图3.11.3题3-4电路图 (a)电路中，基极电流IB12V Ube10k (1 fTk0.2mA，可以根据基极电流值求晶体管的管压降Uce 12V (a)电路中，基极电流IB 12V Ube 10k (1 fTk 0.2mA， 可以根据基极电流值求晶体管 的管压降Uce 12V Ib (1 2)k 18V。然而在该电路中管压降不可能为负值，出现 负值的原因是错误的计算了集电极电流，实际上集电极电流因有 RC的限制不能达到 lB=10mA故在该电路中集电极电路和基极电流不能满足 倍的关系，工作在饱和区。 (b)电路中，发射结不能正偏，晶体管工作在截止区。 (c)电路中，IB 12V UBE 510k 电极结反压，晶体管工作在放大区。 0.023mA，Uce 12V IB 5.1k 6.1V，管压降足以建立集 【3-5】分别画出图3.11.4所示各电路的直流通路和交流通路。 解： 直流通路，见图2-2(1)。 R3(a交流通路，见图2-2(c)。VTVT叩R(b图 2-2(c)Rb1Ri VCC□-Kvt(b图 2-2(b) R3 (a 交流通路，见图2-2(c)。 VT VT 叩 R (b 图 2-2(c) Rb1 Ri VCC □ -Kvt (b 图 2-2(b) 【3-6】 放大电路如图3.11.5(a) 流负载线如图3.11.5 (b) 所示。设Ube 1 ?计算 Rb、Rc、Rl ; 若不断加大输入正弦波电压的幅值，该电路先出现截止失真还是饱和失真？刚出 现失真时，输出电压的峰峰值为多大？ 计算放大电路的输入电阻、电压放大倍数 4?若电路中其他参数不变，只将晶体管换一个 所示，晶体管的输出特