半导体分立器件.pptxVIP

中国半导体器件的型号命名;中国半导体器件的型号命名;中国半导体器件的型号命名;2AP9——N型锗材料普通二极管，序号9 2DW15——P型硅材料稳压二极管 3BG6——NPN型锗材料高频小功率三极管 3CD03C ——PNP型硅材料低频大功率三极管;半导体分立器件; 半导体二极管;（1）点接触型二极管;（2）面接触型二极管;是一种较新的管型。 二氧化硅是绝缘体，漏电流 小，工作稳定。 结面积较大时，可通过较大电流，适用于大功率整流。 结面积较小时，PN结电容小，适用于在脉冲数字电路中作开关管。 ;;P;P;二极管具有单向导电性;3. 二极管的主要参数;2）．最大整流电流(IOM);3）．最大反向工作电压（RUM）;4）．最大反向电流（IRM）;5）．反向击穿电压（UB）;4. 常见半导体二极管;3）稳压二极管; 稳压二极管的应用;4）发光二极管（LED）;6）变容二极管;7）隧道二极管;9）. 桥式整流组件---全桥、半???和硅堆;扁形全桥组件通常以靠近缺角端的引脚为正极，另一边引线为负极，中间为交流输入极。;大功率方形全桥组件： 缺角处引脚为正极端，其对角为负极端，其余两极为交流输入端。;（2）半桥组件;（3）硅堆;5. 二极管极性的识别检测;2）根据正反电阻识别;3）根据结构识别;2.二极管的检测 1）普通二极管的测量 （1）好坏的判断 万用表置于R×100Ω或R×1kΩ档，黑表笔接正极，红表笔接负极，正向电阻几十欧到几百欧之间。 当红黑表笔对调后，反向电阻几百千欧以上，可初判是好的。 阻值都很小，接近零欧姆时--短路。 如果阻值均很大，接近无穷大--断路。;用数字万用表测量，用二极管测量档，正向压降小，反向溢出正常。;2）稳压二极管的检测;3）发光二极管的检测;5）全桥堆的测量;晶体三极管;2. 三极管的主要参数;（2）共射电路：;2)极间反向电流 Icbo为集电结反向饱和电流，Iceo为穿透电流。微安级，越小越好。 3)反向击穿电压 U（BR）EBO、 U（BR）CEO、U（BR）CBO 4)集电极最大允许耗散功率（PCM） 集电结通过电流功耗产生热量，结温升高，功耗过大，集电结烧毁。 5)最大允许集电极电流（ICM） ;6）截止频率（fα） 共基电路中输出端交流短路是，其电流放大系数 α的幅值下降到低频（1KHZ）值的0.707时的频率，高低频的分界线为3MHZ 7）特征频率（fT） 当β值降到1时的频率，此时共射电路将失去电流放大作用。 8）输入/输出电阻 输入电阻rbe：指三极管输出交流短路时，B-E间的电阻； 输出电阻rce：三极管输入交流短路时，C-E间的电阻。 ;电流放大倍数值的色点标志;3.常用小功率三极管;4. 三极管管脚的识别与测量; （3）管脚为等距一字形排列 从外壳色标志点起，按顺序为c、b、e。 管脚为非等距一字形排列，从管脚之间距离较远的第一只脚为c，接下来是b、e。 （4）若外壳为半园形状 管脚一字形排列，则切面向上，管脚向里，从左到右依次为e、b、c。 （5）大功率管 两个引脚B、E，C基面。 ;第47页/共57页;2）．利用万用表进行识别;（2）集电极和发射极的判别;管子好坏的判断;场效应管;2．场效应管的分类;绝缘栅型场效应管(MOS)是利用覆盖在P型或N型半导体上面的金属栅极(两者之间用氧化物绝缘)来控制导电沟道，以实现对电流的控制，又称金属氧化物半导体场效应管，简称MOS管。 分为N沟道耗尽型、N沟道增强型、P沟道耗尽型、P沟道增强型4种。 对于MOS管，则要多出一个衬底B的管脚，通常它与源极接在一起。 ;3．场效应管的使用常识;场效应管的测试;场效应管的测试;感谢您的观看。