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本申请提供了一种封装结构的制作方法以及封装结构。该封装结构的制作方法包括:在GaN高电子迁移率晶体管的至少一个侧壁上形成第一绝缘部;去除GaN高电子迁移率晶体管至少一侧的部分第一绝缘部,在GaN高电子迁移率晶体管的至少一侧形成贯穿于第一绝缘部的第一通孔;在第一通孔中以及GaN高电子迁移率晶体管的裸露的第一表面上设置金属,形成互连结构;在GaN高电子迁移率晶体管的第二表面上形成互连金属层,互连金属层与第一互连部接触。该制作方法将晶体管的散热路径统一到晶体管的第二表面,缓解了现有技术中GaN高电子迁
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117913041A
(43)申请公布日2024.04.19
(21)申请号202211250634.3H01L23/31(2006.01)
(22)申请日2022.10.
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