低频磁场屏蔽的原理及屏蔽物的结构要点.docx

5.3.4低频磁场屏敝的原理及屏敝物的结构要点

1.低频磁场屏蔽原理

减小低频磁场干扰的方法，除了合理地布置元器件、走线的相对位置和方位外，对于低频(如50H2)交变磁场的干扰，可采用低频磁场屏蔽的方法来减小其影响，见图5—32

图5-32低频磁场屏蔽原理

图5—32(a)中，T为电子元器件或电路，当不加屏蔽地放在磁场中时，将会受到低频A磁场于扰，如电子束受力发生偏转，改变磁性材料的磁化性能等。图5—32(b)为用高磁导A串材料做的一个屏蔽盒。斯麦迪电子磁力线通过时阻力很小，而空气的磁导率很低，磁力线通过时受A到很大阻力。因此磁力线将绝大部分从屏蔽体上流过，只有很少量经过屏蔽体内的空气A到达元器件了上。即磁力线主要经1—2—3—4线路流走，很少量经1—2’一3’一4流走，A从而对T起到了保护作用。A综上所述，低频磁场的屏蔽原理就是磁分路原理，即用高磁导率的材料做成屏蔽体，A使磁力线分路而起到屏蔽效果。屏蔽体导磁率越南，屏蔽体的壁厚越厚，磁分路作用就越4好，屏蔽效果也就越好。几种常用材料的相对导磁串见表5—9。相对导磁率是材料的导A磁率与空气导磁串之比，空气的相对导磁串为1。从表5—9中可知：作为低频敬屏蔽物的4材料应选钢铁、不锈钢或坡莫合金，而不应选铜或铝等电的良导体。A

表5-9几种常用材料的相对导磁率

材料

空气

根

铝

金

黄铜

镣

青铜

据

不锈钢

坡莫合金

相对导磁率

1

1

1

1

1

1

1

1

so~i000

500

8000?12000

2.低频疆场屏蔽物的结构要点A(1)减小蹬屏蔽盒在接口处的接继A磁力线通过屏蔽罩的接口缝隙处时，将会受到很大的磁阻，使磁力线产生泄漏，因此^在设计时缝隙处应有较大的重矗［见图5—33(a)中的A3,且应使配合紧密，尽量减小缝隙。A还应注意统欧与磁力线的相对位置，不应使接缝切断磁力线而增加磁阻。图5—33(a)的A安装是正确的，图5—33(b)的安装则不正确。A

(时正确 (b)

(时正确 (b)不正确

图5T3减小接缝

(2)对屏蔽物上孔洞的布置

屏蔽物上的通风孔排列应使其尽量不切断磁力线或尽量少增加磁力线的长度，以降低孔洞处的滋阻，如图5—34所示。钽电容

(b)正确 (c)不正确

弋

亦

M

d)iE确

图5-35

图5-35双层磁屏蔽

图5-34孔洞的正确布置

(3)双层屏蔽

为了提高磁屏蔽的效果。除了选用高导磁性能的材料外,还可以增加磁屏蔽的厚度，一般为1mm左右，最多不超过2mm,否则将使重量增加很多，且加工困难，缝隙的质量难以保证，反而会降低屏蔽效果，为此可采取双层屏蔽。即一层屏蔽体外再加一层屏蔽体，如图5-35所示。

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