EG5620_低压100V驱动芯片数据手册.pdf

E

L

E

C

T

R

O

N

IEG5620芯片数据手册

C带SD和DT功能MOS管驱动芯片

G

I

A

N

T

2019©屹晶微电子有限公司版权所有REV1.0

屹晶微电子有限公司EG5620芯片数据手册V1.0

带SD和DT功能MOS管驱动芯片

版本变更记录

版本号日期描述

V1.02019年11月18日EG5620数据手册初稿

2019©屹晶微电子有限公司版权所有

1/1

屹晶微电子有限公司EG5620芯片数据手册V1.0

带SD和DT功能MOS管驱动芯片

目录

1.特性2

2.描述2

3.应用领域2

4.引脚3

4.1引脚定义3

4.2引脚描述3

5.结构框图4

6.典型应用电路4

7.电气特性5

7.1极限参数5

7.2典型参数6

7.3开关时间特性及死区时间波形图7

8.应用设计8

8.1Vcc端电源电压8

8.2输入逻辑信号要求和输出驱动器特性8

8.3自举电路9

9.封装尺寸10

9.1MSOP10封装尺寸10

2019©屹晶微电子有限公司版权所有

1/1

屹晶微电子有限公司EG5620芯片数据手册V1.0

带SD和DT功能MOS管驱动芯片

EG5620芯片数据手册V1.0

1.特性

高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V

适应5V、3.3V输入电压

最高频率支持500KHZ

VCC电源带欠压保护

VCC电压范围5V-20V

输出电流能力IO+/-1.8A/2.5A

具有死区时间可调

����

SD输入通道低电平有效，关闭HO、LO输出。

外围器件少

封装形式：MSOP10

无铅无卤符合ROHS标准

2.描述

����

EG5620是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输

入处理电路、死区可调电路、电平