硬件设计中的一些简单术语(中英文对照).doc

1.什么是BOM 2.什么是 LDO 3.什么是ESR 4.什么是TTL 5.什么是MOS、NMOS、PMOS、CMOS 6.什么是OC、OD 7.什么是线或逻辑与线与逻辑 8.什么是推挽结构 9.什么是MCU、RISC、CISC、DSP 10.什么是FPGA和ASIC 11.FPGA 与 CPLD 的异同点 1.BOM(BillOfMaterial),是制造业管理的重点之一,简单的定义就是“记载产品组成所需使用材料的表”。以一个新产品的诞生来看:首先是创意与可行性研究的初期过程,接下来的过程就是初步的工程技术分析与原型产品的设计,等到原型产品比较稳定后,经过自制或外购分析(MakeorBuyAnalysisandDecision)后就会产生第一版的工程料表(EBOM,EngineeringBOM)。到正式量产之前,第一版的生产料表(PBOM,ProductionBOM)必须要先完成,以便企业内的相关部门有所遵循。在此之后,就进入了正常的例行维护阶段。 2. 什么是 LDO（低压降）稳压器? LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET,从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。所谓压降电压,是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和,所以稳压器可以有一个非常低的压降电压,通常为 200mV 左右;与之相比,使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备,其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。更新的发展使用 CMOS 功率晶体管,它能够提供最低的压降电压。使用 CMOS,通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小,这种方式产生的压降只有几十毫伏。 3.什么是ESR 电容的等效串联电阻,越低的话Q值越小。 4.什么是TTL Transistor-Transistor Logic晶体管-晶体管逻辑电路 (双极性型电路,指包含电子和空穴两种极性的载流子) 5.什么是MOS、NMOS、PMOS、CMOS MOS(Metal-OxideSemiconductor 金属-氧化物半导体场效应管,单极性)有增强型和耗尽型两种,主要是以下三类 P沟道增强型管构成的PMOS电路 N沟道增强型管构成的NMOS电路 PMOS和NMOS构成的CMOS(互补MOS,Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor 互补型金属氧化物半导体)电路 6.什么是OC、OD 集电极开路门(集电极开路 OC 或源极开路 OD) open-drain是漏极开路输出的意思,相当于集电极开路(open-collector)输出,即ttl中的集电极开路（oc）输出。一般用于线或、线与,也有的用于电流驱动。 open-drain是对mos管而言,open-collector是对双极型管而言,在用法上没啥区别。 开漏形式的电路有以下几个特点： a. 利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动。 或驱动比芯片电源电压高的负载. b.可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。通过一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成“与逻辑”关系。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。如果作为图腾输出必须接上拉电阻。接容性负载时,下降延是芯片内的晶体管,是有源驱动,速度较快;上升延是无源的外接电阻,速度慢。如果要求速度高电阻选择要小,功耗会大。所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。 c. 可以利用改变上拉电源的电压,改变传输电平。例如加上上拉电阻就可以提供TTL/CMOS电平输出等。 d. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻,则只能输出低电平。一般来说,开漏是用来连接不同电平的器件,匹配电平用的。 正常的CMOS输出级是上、下两个管子,把上面的管子去掉就是OPEN-DRAIN了。这种输出的主要目的有两个：电平转换和线与。 由于漏级开路,所以后级电路必须接一上拉电阻,上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样你就可以进行任意电平的转换了。 线与功能主要用于有多个电路对同一信号进行拉低操作的场合,如果本电路不想拉低,就输出高电平,因为OPEN-DRAIN上面的管子被拿掉,高电平是靠外接的上拉电阻实现的。（而正常的CMOS输出级,如果出现一个输出为高另外一个为低时,等于电源短路。） OPEN-DRAIN提供了灵活的输出方式,但是也有其弱点,就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电,所以当电阻选择小时延时就