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4.2 半导体存储原理及存储芯片
目前,几乎所有的主存储器都采用
半导体存储芯片构成。
哈尔滨工程大学计算机科学与技术学院 姚爱红
半导体存储器的分类
TTL型
双极型 速度很快、功耗大、
ECL型 容量小
工艺
PMOS
功耗小、容量大
电路结构 NMOS
(静态MOS除外)
MOS型 CMOS
静态MOS
工作方式
动态MOS
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半导体存储器的分类(续)
z 静态存储器SRAM (双极型、静态MOS型):
依靠双稳态电路内部交叉反馈的机
存储信 制存储信息。
息原理 功耗较大,速度快,作Cache。
z 动态存储器DRAM (动态MOS型):
依靠电容存储电荷的原理存储信息。
功耗较小,容量大,速度较快,作主存。
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4.2.1 双极型存储单元与芯片
双极型存储器有TTL型与ECL型两种,工作速度快,但功耗
大、集成度较低,适于做小容量快速存储器,如高速缓冲
存储器或集成化通用寄存器组。
存储 存储
单元 芯片
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4.2.2 静态MOS存储单元与芯片
1.六管单元 W Vcc W
(1)组成 T3 T4
T1、T3:MOS反相器 T5 T6
T2、T4:MOS反相器
T1 T2
触发器
T5、T6:控制门管
Z
Z:字线,选择存储单元
W、 W:位线,完成读/写操作
(2)定义
“0”:T1导通,T2截止;
“1”:T1截止,T2导通。
W Vcc W
(3)工作 T3 T4
Z:加高电平,T5、T6 T5 T6
导通,选中该单元。 T1 T2
写入:在W、W上分别加
高、低电平,写1/0。
读出:根据W、W上有无 Z
电流,读1/0。
(4)保持
Z:加低电平,T5、T6截止,该单元未选中,保持原状态。
只要电源正常,保证向导通管提供电流,便能维持一管导通,另一管截止的状态
不变,故称静态。
静态单元是非破坏性读出,读出后不需重写。
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2.存储芯片
外特性:Vcc A7 A8 A9 D0 D1 D2 D3 WE
例.SRAM芯片2114(1K×4位) 18
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