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工程电磁场导论小结
工程电磁场导论小结
工程电磁场导论小结
工程电磁场导论小结
E lim 一真空中位于原点的点电荷Ao
E lim 一
真空中位于原点的点电荷Ao q在r处引起的电荷强度
1 q
E(r) 2er
示为
-Jq
limo—-
p和面密度 p与电极化强度
和 p P en
1 E dl
■ s D ds q 电通[量]密度D
P x o E 5
oE
小结1
1、静电场的基础是库仑定律。 静电场的基本场量是电 场强度 一
连续分布的电荷引起的电场可表表
E(r) 4———q式中的dq可以是 什)dV ,r (F)dS, (r )dl或它
们的组合。
2、 电介质对电场的影响可以归结为极化后极化电荷所 产生的影响。介质极化的程度用电极强度 P表示
P
极化电荷的体密度
间的关系分别为
p
3、 静电场基本方程的积分和微分形式分别是
E o
D
P0在各向同性的线介质中 散化。然后,在各网格节点上用位函数的差商来近似 替代该点的偏导数,把偏微分方程转化为一组相应的 差分方程,解之即得位函数在各网格节点上的数值解。
(4)镜像法:点电荷对于无限大接地导体平面的 镜像特点是:等量异号、位置对称,镜像电荷位于边 界外。点电荷对两种无限大电介质平面的镜像计算如 下。
q 二2 2 q (适用区域 1)
q" (适用区域 2)
位置对称。 1 2
在点电荷对接地金属问题中, 如点电荷在球外,
R 2
则镜像电荷q q,它与球心相距 b R /d
(5)电轴法1只能解决带等量异号电荷的两平 行圆柱导体间静电场问题,可通过
2 2 2
h a b
确定电轴的位置。
7、在线性介质内多个导体组成的静电独立系统中, 必
须应用“部分电容”来代替电容器的“电容”概念。
这时,电位与电荷有关系: a q :电荷与电
位有关系:q :电荷与电压有关系:
q C U。部分电容C组成电容网络,它只与各 导体的几何形状、大小、相互位置及介质分布有关, 而与导体的电荷量无关。
4、由静电场的无旋性Q引入标量电位
E dl
P
或 E
在各向同性的线性均匀电介质中,电位满足泊松方程
或拉普拉斯方程
2
5、静电场问题都可归结为在给定边界条件的情况下, 求得泊松方程或拉普拉斯方程的边值问题,边界条件 分为以下三类:
8、 静电能量的计算,可应用
1
We 1 v pdV
或 We 2 E D dV
1 v 或 We 2 kqK
静电能量的体密度为
1We E D
9、 静电力的计算,可应用
F Eq
第一边值 s f,(s)
第二边值第三边值
f2(S)
情况。
1
S2
ds
或应用虚位移法
We f ——e g
利用法拉弟对静电
另外,在不同媒质的分界面上,场量的衔接条 件为
D2n D1 n
,E2t E1t
小结2
或者 只要满足给定的边界条件,n泊松方程或拉普拉斯方程 是唯一的。
6、在静电场边值问题的分析中,常采用以下几种重要 的求解方法:
(1)直接积分法:选用于一维电场问题, 采用常微 分方程的求解方法。
(2)分离变量法:选用于二维或三维电场问题。 关键是能否选择出可分离变量的坐标系使场域的边界 面和媒质分界面均与所选坐标的坐标面吻合。
(3)有限差分法:它首先将场域用适当的网格离
电流是由电荷的有规则运动形成的,不同的电荷分 布运动时所形成的电流密度具有不同的表达式。两种
电流密度以及线电流于它们相应的元电流段的表达式 如下表所列。
电流密度(或线电 流)
元电流段
面密度
J
JdV
线密度
K
kds
线电流
I
Idl
电流密度与相应的电流之间,有下列关系
I /K 皿1
I J dS
s
对于传导电流,电流密度与电场强度间的关系为
J E
2?导电媒质中有电流时,必伴随有功率损耗,其体密 度为
P J E
因此要在导电媒质中维持一恒定电流,必须与电源相
连。电源的特性可用它的局外场强 Ee表示,Ee与电
源的电动势间的关系为
Ee dl
3?导电媒质中恒定电场(电源外)基本方程的积分形 式和微分形式分别为
oJ dS 0 oE dl 0
S l
J 0 E 0
和 由微分形式的基本方程可以导得拉普拉斯方程
4?两种不同媒质分界面上的衔接条件是
J 1n J 2n
和
Eit E2t
被理想介质包围的载流导体表面,有面积电荷存在。
5?导电媒质中恒定电场 (电源外,即Ee=0处)和静电 场(无电荷分布,即 p=0处)有相似的关系,有关的 对应量为
0 K(x,y,z)
0 K(x,y,z)自dS
M表示
导磁媒质的磁化长m,可用磁化强度
M lim 丄
导磁媒质对磁场场的作用,可看作是由磁化电流产生的 磁感应强度所致。磁化电流的面密度和线密度与磁化 强度的关系分别是
Jm M Km M en
安培环路定律在真空
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