第3章电阻应变片式传感器.pptVIP

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式中, C1、C2表示应变片引线分布电容。 每一桥臂上复阻抗分别为 现具体说明:设交流电桥如图3-9(b)所示 第29页,共76页,编辑于2022年,星期日 交流电桥输出: 电桥平衡条件:Uo=0,即 Z1Z4=Z2Z3 整理可得 第30页,共76页,编辑于2022年,星期日 变形为: 交流电桥的平衡条件(实部、虚部分别相等): 由此可见,对如图3-9(b)所示交流电桥,除要满足电阻平衡条件外,还必须满足电容平衡条件,所以在桥路上除设有电阻平衡调节外,还要设置电容平衡调节,常见平衡调节电路如图3.10所示。 第31页,共76页,编辑于2022年,星期日 (a)串联法 (b)并联法 (c)差动法 (d)阻容法 图3-10 交流电桥平衡调节 第32页,共76页,编辑于2022年,星期日 平衡调节方法: 串联电阻法:3.10(a)中R5由下式确定, 式中 分别为R1与R2和R3与R4的偏差。 并联电阻法:3.10图(b)中调节R5可改变桥臂AD和CD得阻值比,使电桥满足平衡条件。可调平衡范围取决于R6的值。R6愈小,可调范围愈大,但测量误差也愈大。因此在保证精度的前提下要选得小些。 R5可采用与R6相同的阻值。R6可按下式确定: 第33页,共76页,编辑于2022年,星期日 差动电容法: 图3.10(C)中 C3和C4为同轴差动电容,调节时两电容 变化大小相等,极性相反,以此调整电容平衡。 阻容调平法: 图3.10(d)中接入的T型RC阻容电路起到预调平作用。 注意:在同时具有电阻和电容调平装置进行阻抗调平过程中,两者应不断交替调整,才能取得满意的平衡结果。 第34页,共76页,编辑于2022年,星期日 当被测应力变化引起 Z1=Z10+ΔZ, Z2=Z20-ΔZ 变化时(Z10=Z20=Z0),则电桥输出为 第35页,共76页,编辑于2022年,星期日 用应变片组成的交流电桥,与直流电桥一样也有 半桥、全桥的形式,具体分析方法与直流电桥分析 方法一样。 第36页,共76页,编辑于2022年,星期日 四 压阻式传感器 金属电阻应变片性能稳定,精度较高,但应变灵敏系数较小,半导体应变片可以改善这一不足。半导体应变片的灵敏系数比金属丝式高50~80倍, 但半导体材料的温度系数大,应变时非线性比较严重, 使它的应用范围受到一定的限制,用半导体应变片制作的传感器称为压阻式传感器。 第37页,共76页,编辑于2022年,星期日 1. 压阻效应:半导体材料受到压力后,其电阻 率发生明显变化,此现象称为压阻效应。 2. 半导体应变片的灵敏系数 当半导体材料受力变形后,其电阻的变化率为: 式中: π——半导体材料的压阻系数 σ——半导体材料的所受应变力 E——半导体材料的弹性模量 ε——半导体材料的应变 第38页,共76页,编辑于2022年,星期日 所以当半导体应变片受轴向力作用时,其电阻相对变化可写为: 实验表明,πE比1+2μ大上百倍,所以1+2μ可以忽略,半导体材料的压阻系数, 因而半导体应变片的灵敏系数为: 第39页,共76页,编辑于2022年,星期日 3. 半导体应变片的结构 第40页,共76页,编辑于2022年,星期日 4. 压阻式传感器的结构与测量电路 和金属应变片的测量电路相同 第41页,共76页,编辑于2022年,星期日 一. 应变片的温度误差 由于测量现场环境温度的改变而给测量带来的附加误差, 称为应变片的温度误差。产生应变片温度误差的主要因素有如下两个方面: 1. 电阻温度系数的影响 敏感栅的电阻丝阻值随温度变化的关系可用下式表示: Rt=R0(1+α0Δt) 3.3 应变片的温度误差及补偿 第42页,共76页,编辑于2022年,星期日 式中: Rt——温度为t时的电阻值;  R0——温度为t0时的电阻值;  α0——温度为t0时金属丝的电阻温度系数;  Δt——温度变化值,Δt=t-t0。 当温度变化Δt时,电阻丝电阻的变化值为:  ΔRα=Rt-R0=R0α0Δt 第43页,共76页,编辑于2022年,星期日 当试件与电阻丝材料的线膨胀系数相同时:环境温度变化不会产生附加变形。 当试件与电阻丝材料的线膨胀系数不同时:环境温度变化,电阻丝会产生附加变形,从而产生附加电阻变化。 设电阻丝和试件在温度为0℃时的长度均为l0, 它们的线膨胀系数分别为βs和βg,若两者不粘贴,则它们的长度分别为 ls=l0(1+βsΔt) lg

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