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2023年存储芯片行业深度报告〔附下载〕

导语

全球存储芯片市场于波动中保持上升趋势，市场规模从2023年的

546亿美元增至2023年的1229亿美元，复合增速达5.6%，

ICInsights估量2023年全球存储芯片市场规模将同比增长22%，

2023年将超过2023亿美元。

一、存储芯片：现代信息存储媒介

1.1半导体存储：主流存储媒介，DRAM和NAND为其核心构成

早期信息存储以纸张、磁性媒介为主。早期的信息存储主要依靠纸张，

1725年法国人制造了打孔卡和打孔纸带，这是最早的机械化信息存储形

式。1928年磁带问世，磁性存储时代开头，随后在1932年，硬盘驱动器

前身即磁鼓内存问世，存储容量约62.5千字节。1936年，世界上第一台

电子数字计算机诞生，使用真空二极管处理二进制数据，使用再生电容磁

鼓存储器存储数据，但体积浩大。1946年，第一个随机存取数字存储器诞

生，存储容量4000字节，因体积过大后来被1956年IBM制造的硬盘驱动

器〔HDD〕替代。随后，1965年只读式光盘存储器〔光盘，CD-ROM〕普

及。

半导体存储技术进展已有半个世纪。1966年动态随机存取存储器〔DRAM〕

问世，存储器进入半导体时代，最早单颗裸片〔Die〕容量为1kb，如今已

达16Gb及以上。直到1980年，东芝制造了闪存〔Flash〕，此后90年月

，先后消灭了USB、SD卡等多种Flash应用。2023年，3DNAND技术萌芽

，到2023年正式商用量产。由此看，半导体存储器进展已有55年，其中

DRAM进展已有55年，Flash进展已有40年，由于2DNAND和3DNAND技

术差异巨大，实际上3DNAND进展历史仅仅十余年，技术成熟度远不如DRAM

。

半导体存储器又称存储芯片，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，用

于保存二进制数据的记忆设备，是现代数字系统的重要组成局部。半导体

存储器具有体积小、存储速度快等特点，广泛应用效劳器、PC、智能手

机、汽车、物联网、移动存储等领域。依据存储原理的不同，半导体存储

器可分为随机存储器〔RAM〕和只读存储器〔ROM〕：

（1）随机存储器〔RAM〕。与CPU直接交换数据的内部存储器。可随时读

写且速度快，断电后存储数据丧失，是易失性存储器。RAM又可进一步细

分为动态随机存取存储器〔DRAM〕和静态随机存取存储器〔SRAM〕。DRAM

用作内存，需求量远高于SRAM。SRAM速度很快但本钱高，一般用于作CPU

的高速缓存。

（2）只读存储器〔ROM〕。只能读取事先存储的信息的存储器。断电后所

存数据不会丧失，依据可编程、可抹除功能，ROM可分为PROM、EPROM、

OTPROM、EEPROM和Flash等。Flash是当前主流的存储器，具备电子可擦

除可编程的性能，能够快速读取数据而且断电时不会丧失数据，往往与

DRAM搭配使用。Flash可进一步细分为NANDFlash和NORFlash：

NANDFlash写入和擦除的速度快，存储密度高，容量大，但不能直接运行

NANDFlash上的代码，适用于高容量数据的存储。NORFlash的优势是芯片

内执行——无需系统RAM就可直接运行NORFlash里面的代码，容量较

小，一般为1Mb-2Gb。

DRAM和NANDFlash为最重要的两类存储芯片。依据市场规模计算，DRAM

约占存储器市场53%，NANDFlash约占45%，二者份额合计达98%，为存储

器市场主要构成产品。

1.2进展趋势：DRAM聚焦制程迭代，NAND聚焦3D堆叠

1.2.1DRAM：向高性能和低功耗进展，3D堆叠、先进工艺、EUV等是将来

趋势

DRAM的工作原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特

〔bit〕，具备运算速度快、掉电后数据丧失的特点，常应用于系统硬件

的运行内存，主要应用于效劳器、PC和手机等。在构造升级方面，DRAM

分为同步和异步两种，两者区分在于读/写时钟与CPU时钟不同。传统的

DRAM为异步