国家标准《硅片订货单格式输入规范》编制说明.docVIP

国家标准《硅片订货单格式输入规范》 （送审稿）编制说明 工作简况 1、任务来源 根据国家标准化管理委员会《关于下达2012年第一批国家标准制修订计划的通知》（国标委综合[2012]50号）的要求，由万向硅峰电子股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司等单位负责《硅片订货单格式输入规范》国家标准的起草，计划编号T-469。 2、申报单位简况 万向硅峰电子股份有限公司，是一家外商投资股份有限公司，它的前身浙江省开化六O一厂，是由省国防工办投资设立，创建于1968年，是信息产业部所属唯一的半导体硅材料专业生产厂。现有职工人数450人，科技人员160人，占员工总数30%以上，厂区占地面积25万平方米。主要产品为：Ф76.2mm～200mmCZ硅单晶，Ф76.2mm～150mm重掺硅单晶，Ф76.2mm～200mm硅单晶切割、研磨片及Ф76.2mm～150mm硅单晶抛光片，其中大直径重掺砷硅单晶被国家经贸委和科技部列为国家重点新产品，空间用太阳能级硅单晶片因其光电转换效率高、可靠性好，一直被广泛用于我国航空航天领域。 3、主要工作过程 根据任务要求2011年12月开始部署制定《硅片订货单格式输入规范》工作。为圆满完成该标准的制定工作，成立了标准制定工作小组，组织翻译了SEMI M18-0302硅片订货单格式规范全文，并对全文进行研究，了解SEMI相关的标准内容，确定要制定的具体内容。 根据目前国内实际产品结构类型，确定按：硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅单晶外延片、太阳能电池用硅单晶切割片、太阳能电池用多晶硅片这五大类产品进行制定。2013年7月4日在安徽由全国半导体材料标准化分技术委员会组织召开的国家标准讨论会上，共有15家单位的专家17人参与了《硅片订货单格式输入规范》国家标准的讨论，并提出了意见和建议。标准制定工作组根据专家意见对标准进行修改后，形成了征求意见稿，并广泛征求了杭州海纳半导体有限公司、有研新材料股份有限公司、宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、宁波晶元太阳能有限公司等硅材料厂家意见，并积极采纳合理化意见，再次形成了标准征求意见稿。 2013年11月27日在南京召开标准工作会上，来自23家单位的33名专家对标准征求意见稿逐项进行了讨论，并提出了修改意见和建议。 根据2013年11月南京会议纪要修改后于2013年12月10日再次发出征求意见稿，编制小组通过采纳各专家的意见并经过再次修改形成了本标准送审稿。 4、主要起草人 朱兴萍 工程师 楼春兰 高级工程师 戴文仙 工程师 毛卫中 所长 赵纪平 工程师 王飞尧 高级工程师 马林宝 高级工程师 孙燕 高级工程师 李慎重 工程师 二、本标准编制的原则和依据 1.标准编制原则 1.1 本标准的编写格式按国家标准GB/T1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》的统一规定和要求进行编写的； 1.2本标准在制定过程中，参考了国际的相关标准，结合目前国内行业内实际使用产品结构和分类的具体情况，并综合考虑了行业的实际需求与未来一段时间内的技术发展要求本着适合多数、助进技术进步的原则，制定本标准。 2.本标准的依据 本标准主要依据五大产品相关的产品标准和实际生产、销售过程中关注的技术参数确定订货单中需要规定的产品特性，结合产品相关的方法标准确定具体测试方法，具体标准如下： GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12964 硅单晶抛光片 GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片 GB/T 13387 硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T 14139 硅外延片 GB/T 141