行业标准《硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法》编制说明.docVIP

PAGE PAGE 1 行业标准《硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法》 (送审稿)编制说明 一、工作简况 任务来源及计划要求： 根据工信部《工业和信息化部办公厅关于印发2013年第二批行业标准制修订计划的通知》（工信厅科[2013]102号），由南京国盛电子有限公司、有研新材料股份有限公司、上海晶盟硅材料有限公司负责修订《硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法》（YS/T 15-1991）行业标准，计划编号 2013-0391T-YS。计划要求2014年完成。 本标准的主要起草人： 马林宝 高级工程师 主持标准修订 杨帆 高级工程师 参与标准撰写 孙燕 主任工程师 参与标准审核、试验 徐新华 高级工程师 参与标准审核、试验 工作过程： 本标准修订是在YS/T 15-1991《硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法》的基础上，根据近年来使用该标准过程中出现的问题，结合国内主流测试仪器的发展需求状况，进行方法的试验、分析和研究后，并参考国外同类标准SEMI MF110-1105，用磨角和染色技术测定硅外延层或扩散层厚度的方法的相关内容编制成本标准的草案。 3.1 了解并掌握目前磨角染色法的使用情况； 了解SEMI标准的相关内容； 修订本标准； 在2013年8月27日的深圳会议和2013年11月27日的南京会议对本标准进行讨论和预审，广泛征求了杭州海纳半导体有限公司、中国计量科学研究院信息电子所、有色金属标准所等23家有关单位近33名代表的意见。所有改动情况如下： 增加了行业标准封面； 增加了前言； 测量范围由原1~25um改为1~100um； 引用标准中增加 1. GB/T 6617 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法； 2.GB/T 14146 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容－电压法； 3.GB/T 14264 半导体材料术语； 4、GB/T 14847 重掺杂衬底上掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法； 增加了3术语； 方法原理中用显微镜图像处理技术替代干涉条纹计算薄层厚度； 增加了5干扰因素； 试剂与材料去除了与干涉条纹有关的试剂与材料； 重新绘了图1； 删除了原图2，新加了斜面示意图； 测量结果的计算公式做了改变； 全面修改了9测量步骤； 重新计算了11精密度； 标准编制原则和确定主要内容的依据 本次标准修订主要从以下几个方面对内容进行了修订： 1、本方法删去原标准中用干涉条纹计算厚度的方法，采用显微镜图像处理技术测量薄膜厚度。修订原因：原方法步骤繁杂，操作步骤多，周期长；电脑图像处理技术已普及，新方法简便、精确，易于操作。 2、本方法引进了新的引用标准。修订原因：新增内容涉及标准（GB/T 14146、GB/T 14847）；原有引用标准不完整（GB/T 14264）；部分步骤和其他新制定标准重复（GB/T 6617） 本方法提出了几种干扰因素。修订原因：原标准无此内容。 4、全面修改了原测试步骤的内容。修订原因：方法变更后需修改测试步骤。 标准水平分析： 与现行法律、法规及相关标准，特别是强制性标准的协调性 修订标准符合现行法规，标准审定后可替代现行YS/T 15-1991 《硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法》 重大分歧意见的处理经过和依据 无 实施标准的要求和措施的建议 本标准建议为推荐性的行业标准。 南京国盛电子有限公司 2014-1-20