2015半导体物理器件期末考试试题(全).pdf

半导体物理器件原理（期末试题大纲） 指导老师：陈建萍 一、简答题（共 6 题，每题 4 分）。 代表试卷已出的题目 1、耗尽区：半导体内部净正电荷与净负电荷区域，因为它不存在任 何可动的电荷，为耗尽区（空间电荷区的另一种称呼）。 2、势垒电容：由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容 充放电效应，即反偏 Fpn 结的电容。 3、Pn 结击穿：在特定的反偏电压下，反偏电流迅速增大的现象。 4、欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流 的接触。 5、饱和电压：栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。 6、阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压。 7、基区宽度调制效应：随 C-E 结电压或 C-B 结电压的变化，中性基 区宽度的变化。 8、截止频率：共发射极电流增益的幅值为 1 时的频率。 9、厄利效应：基带宽度调制的另一种称呼（晶体管有效基区宽度随 集电结偏置电压的变化而变化的一种现象） 10、隧道效应：粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。 11、爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系： 12、扩散电容：正偏 pn 结内由于少子的存储效应而形成的电容。 13、空间电荷区：冶金结两侧由于 n 区内施主电离和 p 区内受主电离 而形成的带净正电荷与净负电荷的区域。 14、单边突变结：冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度 的 pn 结。 15、界面态：氧化层 --半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。 16、平带电压： 平带条件发生时所加的栅压， 此时在氧化层下面的半 导体中没有空间电荷区。 17、阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形。 18、表面散射：当载流子在源极和源漏极漂移时，氧化层 -- 半导体界 面处载流子的电场吸引作用和库伦排斥作用。 19、雪崩击穿： 由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大， 称为雪 崩击穿。 20、内建电场： n 区和 p 区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出 的电场叫内建电场， 方向由正电荷区指向负电荷区， 就是由 n 区指向 p 区。 21、齐纳击穿：在重掺杂 pn 结内，反偏条件下结两侧的导带与价带 离得非常近， 以至于电子可以由 p 区的价带直接隧穿到 n 区的导带的 现象。 22、大注入效应：大注入下，晶体管内产生三种物理现象，既三个效 应，分别称为：（ 1）基区电导调制效应；（ 2 ）有效基区扩展效应； (3)发射结电流集边效应。它们都将造成晶体管电流放大系数的下降。 这里将它们统称为大注入效应。 23、电流集边效应： 在大电流下， 基极的串联电阻上产生一个大的压 降，使得发射极由边缘到中心的电场减小， 从而电流密度从中心到边 缘逐步增大， 出现了发射极电流在靠近基区的边缘逐渐增大， 此现象 称为发射极电流集边效应，或基区电阻自偏压效应。 24、基区运输因子： 共基极电流增益中的一个系数， 体现了中性基区 中载流子的复合（后面问答题出现了） 25、表面电场效应： 半导体中的电导被垂直于半导体表面电场调制的 现象。 26、肖特基势垒场效应： 当半导体加正向偏压时， 半导体—金属势垒 高度增大，无电荷流动，形成反偏；在金属上加正向偏压时，半导— 金属势垒高度减小，电子从半导体流向金属，形成正偏。 27、发射效率：有效注入电流占发射极总电流的比例。 （后面的问答 题出现了） 28、反型层：绝缘层和衬底界面上出现与衬底中多数载流子极