第3章分立元件放大电路.pptVIP

如果静态工作点选得过高，如图中的QH点在信号的正半周，晶体管进入饱和区工作，这时iB虽然不失真，但是iC和uCE都严重失真了，这种失真是由于晶体管的饱和而引起的，称为饱和失真。 因此，要使放大电路不产生非线性失真，必须要有一个合适的静态工作点。静态工作点Q应通过调整电路参数使之大致设置在交流负载线的中点，以使其可变化的范围尽可能大。 此外，输入信号ui的幅值也不能太大，以避免放大电路的工作范围超过特性曲线的线性范围而引起更为严重的失真。 第94页，共173页，编辑于2022年，星期日 2．静态工作点的稳定 影响工作点不稳定的因素中，以温度的影响最大。因为环境温度的变化较为普遍，且不易克服，而晶体管又是对温度十分敏感的元件，温度升高对晶体管各种参数的影响，集中表现为集电极电流IC的增大，导致静态工作点Q点上移而接近饱和区，产生饱和失真。因此稳定静态工作点的关键就在于稳定集电极电流IC 。 当温度变化时，要使近似维持不变以稳定静态工作点，通常采用图3.3.8所示的分压式偏置共射极放大电路，其直流通路如图3.3.9所示。 RB1 、RB2构成分压电路，设置参数使 第95页，共173页，编辑于2022年，星期日 图3.3.8 分压式偏置共射极放大电路 第96页，共173页，编辑于2022年，星期日 ，一般 ，就可忽略IB的影响，则基极电位为 图3.3.9分压式偏置共射极放大电路的直流通路 第97页，共173页，编辑于2022年，星期日 发射极上引入串联电阻ＲＥ后，由直流通路可列出 如果　　　　　 ， 一般　　　　　　　 ，则 　　　由上式近似认为ＩＣ不受温度影响，即Ｑ点基本稳定。 而当ＩＣ因温度的升高而增加时，稳定Ｑ点的过程如下： 温度↑→IC↑→ IE ↑→ IE RE↑→ UBE↓→ IB↓→ IC ↓ 　上述实质是一个负反馈调节过程，即由发射极电阻ＲＥ反映出被控制量ＩＣ的变化，然后通过ＵＢＥ控制ＩＢ来抑制ＩＣ的变化的过程。 第98页，共173页，编辑于2022年，星期日 　　　另外，放大电路中ＲＥ的两端并联了一个电容ＣＥ，使ＲＥ只对直流分量ＩＣ有稳定作用。如果ＲＥ的两端没有并联ＣＥ，则ＣＥ在稳定直流分量ＩＣ的同时，也会稳定交流分量ｉＣ，即抑制ｉＣ变化的强度，使得ｉＣ的幅度降低，导致与ｉＣ成正比的输出电压ｕＯ幅度降低，电路的电压放大能力减弱。ＣＥ为交流分量ｉＣ提供一条阻抗近似为零的通路。因此ＣＥ称为旁路电容，其容量一般为几十微法到几百微法。 第99页，共173页，编辑于2022年，星期日 3．静态工作点的计算 　　根据图3.3.7所示的分压式偏置共射极放大电路的直流通路，近似计算静态工作点的公式如下： 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 （3.3.6） (3.3.7) (3.3.8) (3.3.9) (3.3.10) 第100页，共173页，编辑于2022年，星期日 3.3.4 电路的动态分析 动态分析就是对放大电路放大变化的输入信号的效果分析，微变等效电路法是动态分析的主要工具，放大的效果可以由放大电路的主要指标来衡量。 1. 微变等效电路 在放大电路输入信号较小，且静态工作点选择合适的情况下，晶体管的工作状态接近于线性，因此可以将晶体管用一个线性的电路模型来代替，称为晶体管的小信号模型。 第101页，共173页，编辑于2022年，星期日